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与非AI
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一、数据中心电力架构低压端的DrMOS是什么？
DrMOS是Driver MOSFET的缩写。典型器件把半桥栅极驱动器、高边MOSFET和低边MOSFET集成在同一封装中，由外部多相PWM控制器指挥，再通过电感、电容形成同步降压的一相。它既不是完整电源模块，也不等于多相控制器；DrMOS承担的是“把控制信号变成低损耗大电流”的功率级功能。Intel在2004年前后推动了DrMOS规范，现代主流封装多集中于5×5 mm或5×6 mm。集成缩短了驱动回路，减少寄生电感和导通损耗，使器件能够靠近负载布置。
图1 DrMOS结构示意图，引用：ASRock公司
图2 DrMOS电路结构示意图，引用：Alpha&Omega Semiconductor公司AOZ5317NQI技术白皮书
对数据中心而言，DrMOS主要位于板级供电的最后一级。上游电源架构可能从交流输入经过UPS、PSU和48V/12V中间总线，也可能在下一代800V直流架构中先转换到6V；但靠近CPU、GPU、ASIC和内存的最后一步仍需把母线降到通常低于1V、却达到数百至上千安培的核心电压。Infineon明确将集成功率级用于AI、服务器、存储与通信设备的CPU/GPU/SoC/ASIC/内存电源轨；TI在与NVIDIA共同展示的800V架构中，也把6V至低于1V的多相降压列为GPU核心供电末级。
1．从器件参数到系统能力
一套多相VRM由控制器、若干相DrMOS、输出电感和电容构成。各相错峰开关，让每颗DrMOS分担一部分电流，并降低输入/输出纹波。相数增加可以提高总电流能力、减轻单相热负荷并改善瞬态响应，但会提升相间均流、采样、布局和控制算法的复杂度。高端智能功率级还会输出电流与结温遥测，并集成过流、过温、欠压、高边短路等保护。
DrMOS的效率优势来自三处：一是驱动器与MOSFET之间的互连更短，寄生电感更低；二是高低边MOSFET可围绕低占空比同步Buck工况协同优化；三是封装引脚、铜夹和散热路径可针对大电流设计。代价则是热源高度集中、封装内多芯片匹配难度提高，任何死区时间、开关节点振铃或电流采样误差都会在几十相并联时放大。
关键判断：DrMOS的竞争不只看额定电流。真正决定AI服务器能否量产的是：全负载效率、跨温区电流精度、瞬态恢复、热阻、封装寄生、保护协同，以及与多相控制器和主芯片调压协议的整套验证。
2．数据中心中DrMOS的应用、性能需求与技术挑战
在通用服务器中，DrMOS主要服务CPU Vcore、SoC、DDR和部分加速卡电源轨；在AI服务器中，GPU/NPU/ASIC功耗更高，单颗加速芯片常需十几相到数十相，多GPU系统把DrMOS用量放大到百颗级。2023年的公开拆解测算显示，8卡A100服务器相较普通服务器可新增约128颗大电流DrMOS，新增多相电源价值量超过300美元；这一数字不能直接外推至所有平台，但说明AI服务器会同时提升“用量”和“单颗性能等级”。
性能需求首先是高电流密度。国际主流智能功率级已覆盖90A：Infineon TDA21590支持90A、最高1.5MHz；Renesas ISL99390为90A智能功率级；MPS的新一代产品延伸至90A、100A并出现双相集成。其次是快速瞬态。AI芯片负载可在极短时间内大幅跃迁，VRM必须在有限电容下抑制电压跌落和过冲。再次是热与可靠性：5×5/5×6 mm封装承载数瓦损耗，冷板、PCB铜层、焊点和温度遥测共同决定持续输出能力。最后是系统可观测性与保护，电流/温度回报必须足够准确，才能支持均流、功耗管理和故障隔离。
技术挑战集中在四个矛盾：更高开关频率有利于缩小磁性器件，却增加开关损耗和EMI；更小封装提升功率密度，却压缩散热面积；更多相数提高总电流，却放大控制与采样误差；更低核心电压改善芯片能效，却让允许的电压偏差更窄。TLVR、耦合电感、双相功率模块、6V中间母线和垂直供电都在改变系统边界。它们不会立即淘汰DrMOS，而是推动DrMOS向更低寄生、更精确遥测、更强热路径和更紧密封装协同升级。
国产DrMOS的优势是供应链安全、本地平台适配、成本与工程响应，且杰华特、晶丰明源、矽力杰等公司已同时布局多相控制器和功率级，具备形成套片方案的条件。短板则包括全球CPU/GPU平台认证积累较少、在极端负载和全温区下的长期一致性数据有限、90A以上产品矩阵与双相/先进封装布局不够完整，以及数字控制器固件、GUI、参考设计和现场支持生态仍需补齐。
二、市场空间：AI服务器成为增长主引擎
SNS Insider的AI Server DrMOS Power Chip Market数据显示，全球市场2024年为2.9606亿美元，预计2032年达到9.7557亿美元，2025–2032年复合增速16.12%。该统计聚焦AI服务器DrMOS功率芯片，并按<50A、50–80A、>80A及服务器类型划分，是目前与数据中心低压侧DrMOS较为接近的公开口径。
表1 全球DrMOS市场公开研报口径对比。不同机构对产品范围和应用边界的定义不同，不宜直接横向相减或据此反推中国市场。
QYResearch对全应用DrMOS的统计给出更大的基数：全球市场2024年为12.20亿美元，预计2031年达到25.01亿美元，复合增速10.7%。Mordor Intelligence对单片式DrMOS的口径则为2025年23.20亿美元、2031年40.70亿美元。两组广义数据包含消费电子、汽车和工业等应用，不能直接替代AI服务器专项市场，但共同指向DrMOS持续扩张的行业趋势。
对中国市场而言，AI服务器与国产算力平台扩张、高电流等级升级，以及供应链安全诉求，将共同抬升本土DrMOS需求。由于中国占全球AI服务器DrMOS的份额、国产化率和平均售价尚缺少一致的公开数据，判断市场机会时，更应关注头部客户导入、服务器平台认证、批量收入与高电流产品占比等可验证指标。
口径提醒：2.9606亿美元是全球AI服务器DrMOS市场，不是中国市场；12.20亿美元是全球全应用DrMOS市场。两者范围不同，均不能直接按服务器出货份额机械折算为中国市场。
三、中国DrMOS产业格局与企业画像
中国DrMOS产业正在从“单点器件突破”转向“多相控制器+DrMOS+POL/eFuse”的平台竞争。第一类是已有大电流量产和头部客户记录的综合模拟芯片厂；第二类是掌握低压MOSFET、BCD工艺与封装的IDM；第三类是从PC/消费电子进入服务器的新产品厂商。就公开证据看，90A已不再是国外独占参数，但能否在AI服务器主板上长期量产，仍需结合客户验证、良率、热一致性和系统支持判断。
1. 杰华特（JoulWatt）
公司简介：虚拟IDM模拟芯片公司，产品覆盖计算与存储、通信和汽车。
主要产品：2025年报披露90A大电流DrMOS已在行业头部客户侧量产，并提供多相控制器与智能功率级组合。
核心技术：自有工艺与DC-DC控制技术，强调效率、可靠性、电流精度和温度采样。
市场竞争力：在国产厂商中量产证据较强，并具备PC/服务器完整电源方案；高端AI平台公开客户仍有限。
2. 矽力杰（Silergy）
公司简介：覆盖服务器、数据中心与汽车电源的模拟芯片供应商。
主要产品：SY26670NGG为16V/70A DrMOS，5×6 LGA封装，最高2MHz，适配CPU、GPU、ASIC和服务器。
核心技术：集成去耦、电流/温度回报及可编程峰谷值保护，另有多相控制器产品。
市场竞争力：产品参数完整、数据手册公开，具备套片能力；高端AI服务器规模量产信息仍需更多披露。
3. 晶丰明源（BPS）
主要产品：公开DrMOS型号覆盖50–90A，包括BPD80590、BPD80690E等，并配套最多16相数字控制器。
核心技术：低压BCD、数字控制、封装阻抗优化、TLVR/耦合电感支持与多协议适配。
市场竞争力：产品矩阵和控制器协议覆盖较突出；从样品/导入到服务器大批量出货仍是关键观察点。
4. 圣邦股份（SGMICRO）
公司简介：国内综合模拟芯片龙头，2026年进入高电流智能功率级。
主要产品：SGM25890为16V/90A DrMOS，最高1.5MHz，5×6 TQFN，支持CPU、GPU与DDR。
核心技术：片上MOSFET电流检测、8mV/℃温度输出、逐周期OCP、高边短路与Body-Braking。
市场竞争力：单颗参数已对齐国际90A级产品，综合模拟产品和渠道基础强；服务器平台量产履历尚待验证。
5. 南芯科技（Southchip）
主要产品：SD13050为22V/60A DrMOS，配套双路四相控制器SD22442，支持5–16V输入和双电压轨。
核心技术：强调单die集成路径、高精度ZCD、DCM与主动切相，兼顾轻载效率和方案灵活性。
市场竞争力：推出时间较新，系统级方案完整且本地支持强；电流上限和服务器批量验证仍处爬坡期。
6. 华润微电子（CR Micro）
公司简介：具备晶圆制造、功率器件、功率IC和封装协同的IDM。
主要产品：AI服务器板级方案推荐CR6655 DrMOS与PT18208多相控制器，并覆盖POL、Si、SiC和GaN器件。
核心技术：低压MOSFET、BCD、封装与制造一体化，有利于器件—工艺—封装联合优化。
市场竞争力：2026年披露部分AI服务器产品已向海内外头部客户批量供货；具体DrMOS电流与客户占比披露有限。
四、从英伟达供应链看国际DrMOS市场格局
NVIDIA不公开完整DrMOS物料清单，因此观察供应商格局时，需要区分官方合作、硬件拆解、供应链研究与市场传闻。公开研究对H100/Blackwell代际反复出现的核心名字是MPS、Infineon与Renesas；GB300/B300测试阶段又出现AOS。2024年，SemiAnalysis将GB200相关低压供电的主要份额厂商概括为MPS、Renesas和Infineon；郭明錤的供应链调查显示，GB300/B300曾同时测试AOS 5×5和MPS 5×6 DrMOS，后续又称AOS成为主供应商、MPS为第二供应商。这些信息反映了候选格局和多源采购趋势，但并不等同于NVIDIA官方BOM。
MPS的优势是控制器与Intelli-Phase功率级协同、从70A到100A及双相产品的宽矩阵，以及长期服务器量产经验。Infineon通过OptiMOS器件、90A智能功率级、先进封装和系统级电源架构占据高端位置，并已加入NVIDIA MGX/800V生态。Renesas拥有90A SPS与数字多相控制器套片，强调跨线电压、负载和温度的电流检测精度。AOS则以低压MOSFET和5×5 DrMOS封装见长，并推出符合NVIDIA OVR4-22的控制器；其进入GB300供应链同时也显示，高功率密度下的热验证是决定份额的核心门槛。
表2 国内外DrMOS竞争要素对比（基于厂商官网、产品手册及公开供应链资料整理）
对国内厂商而言，突破路径不是简单复制一颗90A DrMOS。更现实的顺序是：先在国产CPU/GPU和服务器平台建立规模量产记录；再以控制器+DrMOS+参考设计缩短客户验证；随后补齐跨温区遥测精度、双相/顶部散热封装和TLVR/垂直供电能力；最后通过全球服务器ODM和主芯片平台认证进入国际供应链。短期看，国产化最大的确定性来自中国服务器市场和供应安全诉求；中长期的胜负，则取决于系统级协同能否把“参数可比”转化为“平台可量产”。
结论：中国DrMOS已经从50–70A样品竞争进入90A与成套方案竞争，但高端服务器市场仍由国际厂商主导。未来五年最有价值的公司，不一定是单颗额定电流最高者，而是能够同时交付多相控制、智能功率级、封装热设计、验证工具和稳定量产的系统型供应商。
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