Rapidus_Rapidus资讯

台积电最大竞争对手来了, 2nm逻辑密度与台积电几乎持平

日本Rapidus 2HP工艺逻辑密度达237.31 MTr/mm²，略高于台积电N2，远超英特尔18A；三星重启德州2nm工厂，计划2026年底投产，月产能1.6-1.7万片。

芯片大师

1038

2025/09/04

台积电 Rapidus

重大突破：台积电霸主地位难保？背后的“隐形冠军” 直击2nm

日本半导体企业Rapidus 在 2025 年7月18日宣布，其位于北海道千岁市的创新集成制造工厂（IIM-1）已启动 2 纳米“全环绕栅极”（Gate-All-Around）GAA晶体管结构的原型试制，并完成首批晶圆的电性参数测试。

芯科技圈

838

2025/07/21

2nm工艺 Rapidus

2nm工艺大考倒计时

台积电近期表示，2nm工艺技术进展良好，将如期在今年下半年量产，产能在今年年底前有望达到5万片，甚至有机会迈上8万片台阶。

中国电子报

1123

2025/03/14

2nm工艺 Rapidus

全球晶圆厂，进度如何？

晶圆厂，作为半导体芯片制造的核心环节，一举一动都牵动着整个科技产业的神经。2024 年，全球晶圆厂领域迎来了诸多新变化，新增数量成为各界关注的焦点。究竟去年有多少新晶圆厂拔地而起？它们分布在哪些区域？又将给半导体产业乃至全球经济带来怎样的影响？

半导体产业纵横

1379

2025/02/11

台积电三星电子

2025年2纳米晶圆厂全力加速建设

ChatGPT之后，DeepSeek横空出世，助力AI大模型持续升温。AI驱动之下，先进制程芯片需求持续高涨。当前3纳米芯片已经实现量产，为满足未来市场对更先进制程芯片的需求，多家厂商积极布局2纳米晶圆厂，且目标2025年量产/试产。随着目标时间临近，2纳米晶圆厂建设进入全力加速阶段。

全球半导体观察

1817

2025/02/06

台积电三星

2nm，要来了

在半导体制造中，2nm工艺是继3nm工艺节点之后的下一个MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片微缩技术。“2nm”或“20埃”（英特尔使用的术语）与晶体管的任何实际物理特征（例如栅极长度、金属间距或栅极间距）无关。根据电气和电子工程师协会(IEEE)发布的2021 年更新的《国际设备和系统路线图》中的预测，“2.1 nm节点范围标签”预计接触栅极间距为 45 nm，最紧密金属间距为 20 nm。

半导体产业纵横

2162

2025/01/20

芯片制造 2nm工艺