SiC功率器件_SiC功率器件是什么意思

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ASC300N1700ME3碳化硅（SiC:封装62mm）模块1700V300A

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10/27 15:18
碳化硅 SiC功率器件
ASC300N1700ME3F碳化硅（SiC:封装62mm含SBD版本）模块1700V300A

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碳化硅 SiC功率器件

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TrendForce集邦咨询分析师亮相APCSCRM 2025，深度解析SiC功率半导体市场趋势
第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）在郑州成功举办，主题为“芯联新世界，智启源未来”。会议汇聚全球800多位专家学者，探讨宽禁带半导体技术发展。TrendForce集邦咨询分析师龚瑞骄发表主题演讲，分析SiC功率半导体市场现状与未来趋势，强调其在电动汽车、数据中心等领域的应用前景。会上展示超过110家企业的产品与解决方案，促进产学研深度融合，推动宽禁带半导体技术的创新发展。

化合物半导体市场

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碳化硅 SiC功率器件
SiC MOS + 800V HVDC为新一代AI数据中心带来变革
800V HVDC是新一代AI数据中心高压直流供电技术，通过提升电压等级实现能效跃升，已成为英伟达等科技巨头推动的行业标准方案。为什么是800V HVDC、为什么是碳化硅MOSFET，以及两者结合为AI数据中心带来的核心优势三个方面进行详细分析。一、背景：AI数据中心面临的挑战与800V HVDC的必然性传统的AI数据中心普遍采用480V交流或48V直流配电。但随着AI算力（特别是GPU集

碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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11/25 08:21

第三代半导体 SiC功率器件
MOSFET焊料选型避坑指南：焊材厂家研发工程师带你看透匹配的核心逻辑
作为半导体封装焊料厂家的研发工程师，日常工作中经常被问到的问题就是：“我们的MOSFET该选哪种焊料？” 其实MOSFET作为高频高效的功率器件，从消费电子电源到新能源汽车主驱，应用场景跨度极大，但焊料选型的核心逻辑从未变过 ——一切围绕MOSFET的性能特性、封装形式和工作环境来匹配。今天就从研发和实际应用角度，把MOSFET焊料选型的门道讲透，帮大家避开那些容易踩的坑。一、先抓核心：MOSF

傲牛科技

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11/12 10:01

新能源汽车汽车电子
从不同类型IGBT封装对焊料的要求差异看结构与场景看适配逻辑
IGBT 封装的核心差异体现在功率等级、应用环境、结构复杂度三个维度 —— 从分立的TO封装到集成化的汽车主驱模块，从硅基IGBT到SiC模块，封装形式的变化直接决定了焊料的“性能优先级”：有的需平衡成本与基础可靠性，有的需极致散热与抗振动，有的需适配高温与小型化。以下按主流封装类型拆解焊料要求差异，结合结构特点与应用场景说明底层逻辑。一、传统分立封装（TO-247、TO-220）：中低功率场景

傲牛科技

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11/05 09:38

锡膏 SiC功率器件
具有快前沿的10kV纳秒级脉冲电源研制
随着 SiC MOSFET 器件快速开关特性的发展，其在需要高速、灵活高压脉冲输出的电路系统中得到广泛应用。研究表明，SiC MOSFET 的导通时间主要受栅极驱动技术及其实现方式的影响，因此相关研究多聚焦于其栅极驱动方法优化。该研究通过对 SiC MOSFET 栅极驱动回路进行参数测试与优化设计，并将其应用于超快导通型 SiC MOSFET 器件，以实现导通时间的显著缩减。为验证优化效果，研究

碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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10/24 09:40

SiC功率器件碳化硅MOSFET

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