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ASC300N1700ME3碳化硅(SiC:封装62mm)模块1700V300A
735.58 KB
ASC300N1700ME3碳化硅(SiC封装62mm)功率模块
1. 采用全焊片工艺,Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷;
2. 高功率密度,低寄生电感,低开关损耗;
3. 适用高温、高频应用;
4. 参数范围: VDS:1700V ID:300A RDS(on) :8.7mΩ
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研发设计碳化硅MOS管与SiC模块,芯片+模块+应用三位一体模式