SiC-MOSFET_SiC-MOSFET资讯

为什么超大规模数据中心要选用SiC MOSFET？

如今，数据中心迫切需要能够高效转换电能的功率半导体，以降低成本并减少排放。更高的电源转换效率意味着发热量减少，从而降低散热成本。电源系统需要更低的系统总成本和紧凑的尺寸；因此必须提高功率密度，尤其是数据中心的平均功率密度正在迅速攀升。从十年前的每个1U机架通常只有5 kW，增加到现在的20 kW、30 kW 或更高。

安森美半导体

2049

2024/12/24

数据中心功率半导体

交付超千万颗！5家SiC企业透露业务进展

近期，“行家说三代半”发现，国内外又有5家SiC相关企业透露合作及交付进展。9月27日，瞻芯电子在官微透露，自2020年正式发布第一代SiC MOSFET产品以来，他们已累计交付SiC MOSFET产品

行家说三代半

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2024/09/29

SiC SiC-MOSFET

2个晶圆厂新进度：正式投片；车规SiC MOS亮相

近日，国内2家碳化硅IDM厂商实现了晶圆厂和车规级SiC MOS产品方面的突破：9月20日，昕感科技官微宣布，他们于当日顺利完成晶圆厂首批投片，标志着昕感晶圆厂正式进入全面营运阶段。

行家说三代半

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2024/09/24

晶圆厂 SiC-MOSFET

推动8吋SiC量产，国内企业又解决一大难题

业界普遍认为，SiC MOSFET大规模替代的硅基IGBT的临界点是价差缩小至2.5倍以下，而实现这一预期的关键在于降低SiC衬底成本，而高质量、大直径的8英寸SiC衬底片是降低SiC MOSFET器件成本的有效途径。

行家说三代半

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2024/02/07

SiC 碳化硅

5款SiC新品亮相，真的有点猛！

在过去一年里，SiC产品迎来大爆发；2024开年以来，包括Qorvo、三菱电机、至信微等企业也纷纷推出碳化硅新品，积极打进汽车和飞机供应链，牵头再谱新年新篇章。

行家说三代半

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2024/01/26

SiC 碳化硅

飞锃半导体：SiC MOS出货量飙升，5大策略应对“内卷”

回首2023，碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步？出现了哪些变化？2024将迎来哪些新机遇和新挑战？本期嘉宾是飞锃半导体CEO 周永昌。

行家说三代半

2523

2024/01/25

SiC 碳化硅

中科汉韵：车规SiC MOS成功交付，致力成为一流IDM厂商

回首2023，碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步？出现了哪些变化？2024将迎来哪些新机遇和新挑战？

行家说三代半

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2024/01/23

SiC-MOSFET

功率器件，2024年的机会在哪里？

2023年对整个半导体产业来说并不轻松。根据WSTS的数据，2023年半导体元器件行业市场规模为5201亿美元，下跌9.4%，在所有元器件细分品类中，以功率器件为代表的分立器件是去年唯一正增长的，全年预计增长5.8%。作为电能转化和电路控制的核心器件，功率器件下游应用十分广泛，按照下游应用划分，汽车领域占比达40%，其次是工业占比27%，消费电子占13%，其他领域（如通讯、计算机等领域）占20%

史德志

2927

2024/01/11

GaN 氮化镓

比亚迪汽车出手，SiC新增2个赛道

比亚迪汽车是国内首个将SiC MOSFET应用于主驱的厂商，并且车载电源也大力导入了SiC技术，最近，比亚迪又采用了基于SiC的电池分容和检测设备：● 瑞能股份：获比亚迪化成分容产线“最佳交付供应商”认可，该产线采用碳化硅技术；● 德普电气：与比亚迪达成100台套检测设备订单合作，该设备采用碳化硅技术。

行家说三代半

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2023/12/27

SiC 碳化硅

目标80万辆！这家车企将推3款SiC车型

理想汽车与SiC厂商达成合作，将订购SiC MOSFET进军高压纯电动车市场。预计2024年将推出3款纯电车型，明年的汽车销量将挑战80万辆。12月22日，意法半导体官微宣布，他们已与理想汽车签署了一项SiC长期供货协议。根据协议, 意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。

行家说三代半

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2023/12/25

SiC 碳化硅

浮思特| SiC MOSFET和IGBT在短路时的对比

基于沟道的硅碳功率金氧半场效应晶体管（MOSFETs）为电力转换开关设备的性能优化系数（FOM）带来了显著提升。这让系统性能得以凸显，提高了多种应用的效率和功率密度，并降低了整体系统的成本。

浮思特科技

1463

2023/12/13

IGBT SiC MOSFET

浮思特| SiC MOS 、IGBT和超结MOS对比

在经过多年的技术积累后，硅碳化物 (SiC) MOSFET因其强大的击穿场和较低的损耗特性，逐渐受到工程师们的热烈追捧。目前，它们主要用于以绝缘栅双极晶体管（IGBT）为主导的键合部件领域。然而，在当今功率设备的大格局中，SiC MOSFET到底扮演了何种角色？

浮思特科技

2430

2023/12/11

SiC 碳化硅

浮思特| 如何为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动器

额外的电路通常比专用 SiC 占用更多的空间。因此，高端设计通常选择专用的 SiC 核心驱动器，这会考虑到更快的开关、过压条件以及噪声和 EMI 等问题。他说：“你总是可以使用标准栅极驱动器，但你必须用额外的电路来补充它，通常这就是权衡。”

浮思特科技

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2023/12/08

SiC MOSFET 栅极驱动器

浮思特| SiC MOSFET逆变器的创新应用

电动汽车（EV）制造商在电动汽车市场不断崛起之前，仍需克服多项关键挑战。尽管电动汽车已经在缩小与传统燃油汽车的市场份额差距方面取得了显著进展，但仍面临着一系列问题。其中最主要的挑战包括续航里程和充电时间的提升。

浮思特科技

960

2023/12/06

逆变器 SiC MOSFET

浮思特| 什么是SiC MOSFET？

碳化硅，或SiC，作为一种半导体材料，正在逐渐崭露头角，广泛应用于电源电子领域。相较于其他可用技术，碳化硅MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）表现出显著的性能提升，为众多电子应用带来了新的可能性。

浮思特科技

1563

2023/12/06

SiC 碳化硅

Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。

与非网编辑

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2023/11/30

MOSFET SiC MOSFET

Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准

英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合，助力实现更高效率和功率密度

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的62mm IGBT 模块，其应用范围现已扩展至太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引、商用感应电磁炉和功率转换系统等。

与非网编辑

1462

2023/11/29

MOSFET SiC-MOSFET