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  • 助力SiC器件封装突破，广东聚砺发布有压烧结铜创新方案
    在功率半导体封装领域，随着碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带材料的广泛应用，对互连材料提出了更高的要求。 值得关注的是，聚砺聚焦第三代半导体关键芯片封装材料及解决方案，推出了FC-100U有压烧结铜膏。该产品作为一款国产高性能金属互连材料，凭借其卓越的界面结合性能、低孔隙率和优异的可靠性，正成为高端应用的理想选择： 一、卓越的界面结合性能：适配多种金属层结构 聚砺FC-100U有压烧结铜在
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    05/19 15:31
    封装 sic器件
  • 2家企业SiC器件出货突破3000万颗
    国内SiC功率器件企业方正微和飞锃半导体近期分别宣布，其SiC MOSFET均突破3000万颗级的规模化交付，标志着国产SiC器件正加速迈向成熟。方正微已累计交付超3000万颗车规主驱SiC MOSFET，而飞锃半导体1200V SiC器件累计出货超3500万颗。这表明中国碳化硅产业链在产能爬坡、车规认证和市场渗透等方面已具备与国际巨头竞争的实力，为下游应用降低成本并保障供应链安全提供了有力支持。
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    04/16 16:08
    碳化硅 SiC功率器件
  • 卷生卷死，全球SiC器件片供应商汇总（107家）
    周三发布了全球SiC衬底和外延片供应商汇总数据，阅读量不错。国内SiC器件供应商数量激增，海外30家，大陆77家，远超市场需求，未来将面临淘汰。此外，SiC器件供应商业务模式多样，部分项目仍在研发或规划阶段。作者提供了完整的碳化硅产业链供应商产品统计Excel文档，并分享了近十年的半导体制造上游供应链数据、行业景气度分析、线上讲座等内容。
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    01/26 10:12
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  • Wolfspeed：8吋SiC芯片收入实现“十连增”
    近期，意法半导体、天岳先进、扬杰科技、三安光电、京东方华灿等多家SiC企业发布业务进展，Wolfspeed、斯达半导体、晶升股份亦公布了最新财报。Wolfspeed 2026年第一季度营收1.97亿美元，8英寸SiC器件厂贡献显著。斯达半导体加大研发投入，重庆安达半导体项目投产。晶升股份持续推进8英寸SiC设备技术创新，业绩虽受市场调整影响，但仍保持积极布局。
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    2025/10/31
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  • CGD 官宣突破100KW以上技术，推动GAN挺进超100亿美元的电动汽车逆变器市场
    无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices（CGD）开发了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，使更加环保的电子产品非常易于设计和运行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN® 解决方案使 CGD 利用其 ICeGaN® 氮化镓（GaN）技术满足100kW 以上的电动汽车动力系统应用，该市场超过100亿美元。Combo ICeGaN®将智能 ICeGaN HEMT
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    2025/03/11
    GaN IGBT
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