TVS

• SOD523/DFN封装ESD静电保护管芯片全型号对比，平芯微30kV保护等级一站式选型

  一、什么是ESD静电保护管芯片 ESD（Electrostatic Discharge，静电放电）是电子产品可靠性的头号杀手。日常生活中人体积累的静电电压可达数千伏特甚至数万伏特，当这股能量通过接口引脚瞄间释放到IC内部时，极易导致芯片闪灼、漏电增大甚至永久失效。ESD静电保护管（也称TVS二极管、ESD抑制器）是专门用于电路端口的过电压保护器件，其核心原理是在正常工作电压下不影响电路，一旦端口电

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  07/16 16:19

  ESD TVS
• CAN总线硬件设计：终端电阻、共模电感与TVS协同选型全解析

  摘要： CAN总线凭借高可靠性与实时性，已成为工业控制、车载电子、储能BMS等领域的主流通信协议[reference:0]。然而，在实际硬件设计中，终端电阻匹配不当、共模电感DCR过大导致节点数骤减、TVS管寄生电容拖累信号边沿等问题屡见不鲜[reference:1]。本文从CAN物理层基础入手，系统梳理终端电阻配置、共模电感核心参数、TVS/ESD防护选型以及隔离电源设计等常见误区，并结合沃虎电

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  07/13 17:27

  CAN总线 共模电感
• 网口被雷击/浪涌打坏？GDT气体放电管与TVS配合防护怎么设计

  摘要 户外网口、长线缆接口一遇雷击浪涌就容易挂，单靠 TVS 能量不够、单靠 GDT 响应慢，正确做法是 GDT 泄大能量 + TVS 钳快前沿分级配合。选型看击穿电压、通流能力、寄生电容(高速口要低容)。可对照沃虎 GDT WHGT090V1P0A(90V)、WHGD200V1P0B(200V)。料号以规格书与送样为准。 一、先看全貌 网口防浪涌是分级泄放的系统工程：GDT泄大能量、TVS钳快前

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  07/13 16:59

  TVS GDT
• TVS小巨人冲刺IPO

  应能微电子股份有限公司计划上市，专注于TVS防护器件，这是功率半导体国产替代的重要环节。该公司拥有深厚的技术壁垒，与扬杰科技合作紧密，后者是中国功率半导体市场的领先者。应能股份在硅基TVS和碳化硅(SiC)领域均有布局，目标是成为多品类、高适配的功率半导体平台型企业。

  是说芯语

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  07/09 12:37

  TVS
• Bourns TVS 二极管于 DFN-2（0402）封装中实现高浪涌 ESD 防护

  双向 3.3 V 与 5.0 V 组件支持 IEC 认证 ESD、EFT 与浪涌防护，适用于空间受限之外部接口设计 全球知名电子组件制造商 Bourns 宣布推出 Model CDDFN2-T3V3SC 与 CDDFN2-T5V0SC 表面黏着瞬时电压抑制（TVS）二极管，专为空间受限的电子设计提供 ESD、EFT 与浪涌防护。此系列产品采用 DFN-2（0402）小型封装，并分别支持 3.3 V

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  07/02 15:40

  ESD TVS

  
• CAN总线硬件设计经典误区：终端电阻、共模电感与TVS协同选型全解析

  摘要/前言 CAN总线凭借高可靠性与实时性，已成为工业控制、车载电子、储能BMS等领域的主流通信协议。然而，在实际硬件设计中，终端电阻匹配不当、共模电感DCR过大导致节点数骤减、TVS管寄生电容拖累信号边沿等问题屡见不鲜。本文从CAN物理层基础入手，系统梳理终端电阻配置、共模电感核心参数、TVS/ESD防护选型以及隔离电源设计等常见误区，并结合沃虎电子（VOOHU）在BMS隔离变压器、共模电感及防

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  06/04 15:54

  CAN总线 共模电感
• TVS选型与电路防护：从浪涌机理到钳位优化的完整指南

  摘要： 雷击浪涌、静电放电（ESD）和电源切换瞬态是导致电子设备损坏的主要原因。TVS（瞬态电压抑制二极管）凭借纳秒级响应、低钳位电压和强浪涌吸收能力，成为板级防护的核心器件。然而错误选型——如击穿电压余量不足、峰值脉冲功率降额忽略或寄生电容过大——往往使保护形同虚设。本文从TVS工作机理出发，结合电源接口、通信总线及高速信号线的实际案例，详细解读关键参数（VRWM、VBR、IPP、VC、Cj）的

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  06/02 16:05

  ESD TVS
• Vishay PARÒ和TRANSZORBÒ TVS采用新的DFN6546A超薄封装

  这些单向和双向器件采用0.88 mm的薄形设计，并具有易于吸附焊锡的侧边焊盘，不仅节省空间，而且能够提供高达137 V的卓越钳位能力 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出四款单向和双向3000 W PARÒ和TRANSZORBÒ表面贴装瞬态电压抑制器（TVS）---T3KNxxA、T3KNxxCA、3KDFNxxA和3KDF

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  05/19 09:01

  Vishay TVS

  
• 电路保护器件选型与配合：TVS、ESD、GDT、MOV全攻略

  摘要： 在工业控制、汽车电子、通信设备及消费电子产品中，雷电感应、静电放电(ESD)、电源浪涌及开关瞬变是导致接口损坏或系统重启的主要元凶。然而，许多工程师对保护器件的选型存在误区：TVS管钳位电压与功率匹配不当导致后端芯片残压过高；GDT与MOV并联时因响应速度差异而失效；高速接口误用高容值TVS导致信号完整性崩溃。本文从器件物理特性出发，系统解析TVS、ESD防护二极管、气体放电管(GDT)及

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  05/10 14:25

  ESD TVS
• 沃虎TVS/ESD选型：3.3-400V，匹配接口浪涌保护

  在工业通信、汽车电子、电源系统及消费电子中，电路防护器件扮演着保护敏感芯片免受静电放电（ESD）、浪涌（Surge）、雷击等瞬态过压冲击的关键角色。面对多样化的接口类型（USB、RJ45、RS485、CAN、电源端口），工程师需要系统掌握TVS、ESD、GDT、MOV四种主流防护器件的选型逻辑——从击穿电压到寄生电容，从响应时间到封装尺寸，选错一个参数可能导致保护失效或信号完整性劣化。 苏州沃虎电

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  05/07 08:44

  ESD TVS
• MDD辰达半导体低钳位高功率TVS，开启电子设备EOS防护

  EOS防护是现代电子设备的关键挑战，TVS二极管作为电路保护的重要手段，面对日益复杂的电子环境，需要具备更低的钳位电压来保护高端IC。MDD SMFXX(C)AH系列TVS凭借创新技术，实现了低钳位电压和高浪涌防护，适用于多种充电技术和电源口的全面防护，同时满足小型化要求，成为理想的电路保护选择。

  MDD辰达半导体

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  03/13 07:12

  TVS EOS保护

  
• 华悦芯0.2pF超低电容快速响应TVS Diode Array：守护高速数据线的 “安全卫士”

  在当今数字化时代，电子设备的普及程度和复杂性不断攀升，从智能手机、平板电脑到高清电视、笔记本电脑，再到各种高端服务器和通信设备，它们都离不开高速数据传输的支持。然而，随着数据传输速度的提升和设备小型化的趋势，电子设备面临着越来越严峻的电磁干扰和静电放电（ESD）威胁。ESD 可能导致设备性能下降、数据丢失甚至永久损坏，给用户带来巨大的不便和经济损失。因此，如何有效保护电子设备免受 ESD 的侵害，

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  01/20 16:26

  浪涌防护 ESD
• TVS管主要电参数

  在选用TVS时，应考虑以下几个主要因素: (1)若TVS有可能承受来自两个方向的尖峰脉冲电压(浪涌电压)冲击时，应当选用双极性的，否则可选用单极性。 (2)所选用TVS的Vc值应低于被保护元件的最高电压。Vc是二极管在截止状态的电压，也就是在ESD冲击状态时通过TVS的电压，它不能大于被保护回路的可承受极限电压，否则器件面临被损坏的危险。 (3)TVS在正常工作状态下不要处于击穿状态，最好处于VR

  佑风微电子

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  01/20 08:53

  二极管 TVS
• TVS器件的工作原理

  TVS(Transient Voltage Suppressor)二极管，又称为瞬态抑制二极管，是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，TVS能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，把它的两端电压箝制在一个预定的数值上，从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。 TVS二

  佑风微电子

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  01/20 08:51

  二极管 TVS
• 单双向TVS的V-I特性

  单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同，反向击穿拐点近似"直角"为硬击穿，为典型的PN结雪崩器件。从击穿点到Vc值所对应的曲线段表明，当有瞬时过压脉冲时，器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值，并保持在这一水平上。 双向TVS的V-I特性，双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS"背靠背"组合，其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性，正反两面击穿电压的对称关系为:0.9≤V

  佑风微电子

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  01/19 07:10

  二极管 TVS
• 快速响应+高ESD防护能力，华悦芯双向超低电容TVS二极管，守卫电路保护没烦恼

  在当今数字化时代，电子设备的普及程度与日俱增，从日常使用的智能手机、笔记本电脑到各种工业级的通信设备，它们的正常运行都离不开稳定的电路保护。随着技术的不断进步，设备对电路保护的要求也越来越高，不仅要能抵御静电放电（ESD）等突发干扰，还要在不影响信号传输的前提下实现高效保护。华悦芯双向超低电容TVS二极管（Bi-directional Ultra-low Capacitance TVS Diode

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  01/17 10:34

  浪涌保护器 ESD
• MDD辰达半导体低钳位高功率TVS，开启电子设备 EOS 防护

  一、EOS防护：现代电子设备的核心挑战-EOS EOS（Electrical Overstress，电性过应力）是导致电子设备失效的主要原因之一，也是整个电子行业面临的一项持续挑战。EOS是指施加在器件上的电压、电流或功率超过了其最大额定承受能力，导致器件性能退化或永久性损坏。它比ESD（静电放电）的持续时间更长、能量更高，破坏性也更大。 随着芯片工艺进入纳米级，栅氧层更薄，器件对EOS的耐受能力

  MDD辰达半导体

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  2025/12/31

  TVS EOS
• Bourns 全新推出可提供 ESD 保护弹性的 TVS 二极管系列

  全新系列包含 21 款单向与双向型号，工作峰值反向电压范围广，从 12 V 到 30 V Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出 5.0SMDJ 系列瞬态电压抑制 (TVS) 二极管。新系列采用节省空间的紧凑型 DO-214AB 封装，专为行动通讯、运算及影像设备应用提供有效的静电放电 (ESD) 保护而设计。Bourns® 5.0SMDJ 系列包含 13 款单

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  2025/12/03

  ESD TVS

  
• Bourns全新推出21款TVS二极管系列提供更广泛的峰值电压范围，提升设计灵活性

  全新系列具备先进性能，可提供有效的 ESD 保护， 并提供体积紧凑的单向及双向封装选项 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出 SMLJ-R 系列瞬态电压抑制 (TVS) 二极管。该系列具备高效能能量吸收与钳位能力，可为敏感电子设备提供有效的静电放电 (ESD) 保护。新系列采用紧凑型 DO-214AB 封装，并提供单向与双向两种选项。其性能与封装特性，使此系列

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  2025/12/01

  ESD TVS

  
• SIDACtor P1900MEL与压敏电阻、TVS管、GDT浪涌保护性能对比及应用电路设计

  浪涌保护器件作为电子系统抵御雷击、电快速瞬变等过电压干扰的核心组件，其性能直接决定防护效果。本文聚焦P1900MEL（SIDACtor器件）、压敏电阻（MOV）、TVS管（瞬态抑制二极管）、GDT（气体放电管）四类典型器件，从性能优缺点、单独应用电路及组合应用方案三个维度展开分析，为电路设计提供实操性参考。 一、核心器件性能优缺点对比 四类器件的工作机制存在本质差异，导致其在响应速度、通流能力、钳

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  2021

  1评论

  2025/11/27

  浪涌保护器 浪涌防护

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