SC3D10065I-JSM 650V 碳化硅肖特基二极管

二、核心特性与优势

核心特性：

• 额定反向峰值电压 650V，属于高压肖特基整流器件；
• 零反向恢复电流（多数载流子二极管，无反向恢复电荷）；
• 支持高频工作、开关特性不受温度影响、开关速度极快。

核心优势：

• 可替代双极型整流器，适配单极整流需求；
• 基本无开关损耗，工作效率高；
• 降低散热片需求，减少系统散热设计压力；
• 多器件并联使用时无热失控风险，稳定性强。

（1）最大额定值

SC3D10065I-JSM 的核心竞争力源于其深度优化的产品特性，完美契合现代电力电子设备的严苛需求：

• 650V 高压稳定整流：重复峰值反向电压、浪涌峰值反向电压及直流峰值反向电压均达到 650V，满足高压应用场景的核心要求，适配各类中大功率整流需求。
• 零反向恢复电流：作为多数载流子二极管，器件无反向恢复电荷，从根源上消除了传统二极管的开关损耗，这一特性使其在高频工况下的效率优势尤为突出。
• 高频与宽温适配：支持高频工作模式，配合极快的开关速度和温度无关的开关性能，即便在 - 55℃至 175℃的极端温度范围内，也能保持稳定运行，适配复杂工况。
• 无热失控并联能力：多器件并联使用时无需担心热失控问题，为大功率应用场景提供灵活的功率拓展方案，提升系统设计的灵活性。

SC3D10065I-JSM 的每一项电气参数都经过严苛测试验证，在电流、电压、损耗等核心维度展现出强悍实力：

（1）电流与电压性能

• 连续正向电流（IF）表现优异：25℃环境温度下最高可达 29A，135℃时仍能保持 12.7A 稳定输出，149℃极限高温下正向电流依旧可达 10A，高温载流能力行业领先；
• 非重复正向浪涌电流（IFSM）高达 80A（Tc=25℃，tp=10ms，半正弦脉冲条件），抗冲击能力强劲，有效提升系统在突发工况下的可靠性；
• 650V 额定反向电压下，反向电流（IR）控制精准：25℃时最大值仅 50μA，175℃高温下不超过 200μA，漏电流处于行业超低水平，保障器件长期稳定运行。

（2）损耗控制与寄生参数

• 正向电压（VF）低至 1.4V（典型值，IF=10A，TJ=25℃），最大值不超过 1.7V；175℃高温下最大值也仅 2.2V，显著降低导通损耗；
• 总电容电荷（Qc）仅 36nC（VR=400V，IF=10A，TJ=25℃），电容存储能量（Ec）为 4.6μJ（VR=400V），低寄生参数进一步优化高频开关性能，减少能量损耗；
• 功率损耗（Ptot）控制精准：25℃时最高可达 94W，110℃时仍保持 40W 额定值，兼顾大功率输出与低损耗需求。

（3）热管理特性

器件的结到壳热阻（Ruc）典型值仅 1.6℃/W，热量传导效率优异，配合精准的功率降额设计，大幅降低对散热片的依赖。这一优势不仅能减少系统散热设计成本，还能缩小设备整体体积，为产品小型化升级提供更大空间。

封装设计：无缝兼容，省心替换

SC3D10065I-JSM 采用经典的 TO-220-2 封装，在保障性能的同时，最大化提升与 C3D10065A 的兼容性：

• 标准化尺寸设计：总长度 15.35-15.95mm，高度 4.30-4.50mm，引脚间距固定为 5.08mm，完美适配现有 PCB 板布局，无需改动电路设计即可直接替换 C3D10065A；
• 优化的引脚结构：引脚宽度 0.65-0.85mm，长度 13.00-14.00mm，确保焊接可靠性与电流传导效率，进一步提升实际应用中的稳定性；
• 成熟封装工艺：经过市场验证的 TO-220-2 封装，散热性能与机械强度兼顾，适配工业级应用的严苛环境要求。

六、应用场景：覆盖多领域，赋能设备升级

凭借卓越的性能与兼容性，SC3D10065I-JSM 的应用场景广泛，可无缝替代 C3D10065A 用于多个核心领域：

• 开关模式电源（SMPS）：高频工作特性适配更高开关频率，提升电源功率密度与转换效率，适用于工业电源、消费电子电源等；
• 功率因数校正（PFC）电路：作为升压二极管，有效改善电网功率因数，降低谐波污染，适配新能源充电桩、通信电源等场景；
• DC/DC 与 AC/DC 转换器：低损耗、快开关特性助力实现更高转换效率，满足新能源汽车辅助电源、工业控制电源等需求；
• 逆变器续流二极管：抗浪涌能力与高温稳定性确保逆变器持续可靠运行，适配光伏逆变器、风电逆变器等新能源设备。