SC4D02120E-JSM 碳化硅肖特基二极管

杰盛微半导体深耕碳化硅功率器件领域，重磅推出SC4D02120E-JSM 碳化硅肖特基二极管，不仅在核心参数上全面对标经典型号 C4D02120E，更在性能优化、应用适配性上实现突破，为各类高端电源设备提供更具竞争力的解决方案。

一、核心参数对标，性能不相上下

作为一款高性价比的碳化硅肖特基二极管，SC4D02120E-JSM 在关键电气参数上与 C4D02120E 保持高度一致，确保了器件替换的兼容性与可靠性。

在正向导通性能方面，当正向电流 IF=5A、结温 TJ=25℃时，SC4D02120E-JSM 的正向电压 VF 典型值仅为 1.44V，最大值不超过 1.8V；即使在 175℃的高温工况下，正向电压最大值也控制在 3.0V 以内，与 C4D02120E 的导通损耗水平相当，有效降低了器件工作时的能量损耗。

反向阻断能力上，两款器件均支持 1200V 的反向电压等级，SC4D02120E-JSM 在 25℃时的反向电流 IR 最大值为 30μA，175℃高温下反向电流最大值仅 15μA，优异的反向漏电特性确保了器件在高压应用场景中的稳定性，与 C4D02120E 的反向性能指标完全匹配。

值得一提的是，SC4D02120E-JSM 作为多数载流子二极管，不存在反向恢复电荷，这一特性与 C4D02120E 一致，彻底消除了开关过程中的恢复损耗，为高频电源设计提供了关键支撑。同时，在结电容特性上，两款器件在 1MHz 测试频率下的表现相近，确保了高频开关时的动态性能一致性。

二、多场景深度适配，赋能产业升级

SC4D02120E-JSM 的应用场景与 C4D02120E 高度重合，且凭借更优的综合性能，在多个领域展现出强劲的适配能力。

在服务器 / 电信电源领域，数据中心的高密度、高功率需求对电源效率和可靠性提出了极高要求。SC4D02120E-JSM 的低导通损耗和无开关损耗特性，能将电源转换效率提升至新高度，降低数据中心的能耗成本；高温稳定性能和长寿命设计，减少了设备维护频率，保障了服务器集群的连续稳定运行。

太阳能逆变器中，该器件同样表现出色。光伏系统的工作环境复杂，温度波动大，且需要高频开关以提升能量转换效率。SC4D02120E-JSM 的高温适配性、高频工作能力和低损耗特性，能有效提升逆变器的最大转换效率和 MPPT（最大功率点跟踪）响应速度，助力光伏电站实现更高的发电量。

此外，在AC/DC 转换器、DC/DC 转换器、不间断电源（UPS） 等设备中，SC4D02120E-JSM 均能发挥核心作用。其优异的电气性能可帮助这些电源设备实现效率提升、体积缩小、可靠性增强，为消费电子、工业控制、新能源汽车充电桩等产业的升级提供有力支撑。

三、关键参数：硬核性能，数据说话

（1）最大额定值

四、六大核心优势，解锁应用新可能

SC4D02120E-JSM 在对标 C4D02120E 参数的基础上，进一步强化了器件的综合性能，带来六大核心优势，满足更严苛的应用需求。

零恢复电流 + 无开关损耗是其最突出的亮点。传统硅二极管的反向恢复电荷会导致严重的开关损耗和电磁干扰（EMI），而 SC4D02120E-JSM 凭借碳化硅肖特基结构，实现零正向 / 反向恢复电流，开关过程中无额外能量损耗，不仅提升了系统效率，还降低了 EMI 滤波成本，让电源设备更易通过电磁兼容认证。

高温适配 + 稳定可靠的特性让器件无惧恶劣工况。该器件的结温工作范围覆盖 - 55℃至 175℃，开关行为不受温度变化影响，即使在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其结到壳热阻仅为 0.86℃/W，散热效率优异，配合高浪涌电流承受能力，大幅提升了电源系统的可靠性和使用寿命。

正向电压正温度系数为器件并联提供了极大便利。多器件并联使用时，正向电压随温度升高而略有上升的特性，能自动均衡各器件的电流分配，避免局部过热导致的热失控问题，无需额外增加均流电路，简化了大功率电源的设计复杂度，这一优势与 C4D02120E 相比不相伯仲，且在实际应用中更具稳定性。

此外，SC4D02120E-JSM 还具备高频工作能力和环保特性，支持硬开关拓扑结构，可适配更高的开关频率，助力电源设备实现小型化、轻量化设计；同时符合环保要求，响应绿色制造理念，适用于各类对环境友好度有要求的高端设备。

SC4D02120E-JSM 采用 TO-252-2 封装（又称 DPAK 封装），该封装形式与 C4D02120E 一致，引脚布局和外形尺寸完全兼容，可直接替换使用，无需修改 PCB 设计，为客户节省了产品升级的研发周期和成本。

封装的详细尺寸经过精密优化，引脚间距、长度和厚度均符合 SEMI 标准，确保了焊接的可靠性和散热性能。其封装尺寸参数如下：长度范围 9.60-10.50mm，宽度 5.10-6.30mm，高度 0.40-1.00mm，紧凑的结构设计便于在有限的 PCB 空间内实现高密度布局。

需要特别说明的是，SC4D02120E-JSM 未指定用于军工 / 航空、汽车或医疗设备，若需在这些领域应用，需提前与杰盛微确认产品的专项认证情况，确保符合相关行业标准。

作为杰盛微半导体倾力打造的高性能碳化硅肖特基二极管，SC4D02120E-JSM 在核心参数上对标 C4D02120E，在综合性能上实现优化升级，以零恢复电流、无开关损耗、高温稳定、易并联等突出优势，为各类电源设备提供了更优质的解决方案。

未来，杰盛微将持续深耕碳化硅功率器件领域，不断推出更具竞争力的产品，助力新能源、数据中心、工业控制等产业实现高效、绿色、可靠发展，为全球功率电子产业的升级贡献中国力量！