2个GaN项目提速：签约、下线！

最近，国内有2家企业正在推进GaN项目进度：

● 华灿光电：GaN芯片研发中心项目落户珠海；

● 国盛：氮化镓外延产品正式下线。

华灿光电：签约落户珠海横琴

12月26日，据“横琴在线”消息，京东方华灿光电与横琴粤澳深度合作区举行了签约仪式，签署了合作框架协议，该区执行委员会副主任聂新平、符永革，华灿光电董事长张兆洪出席见证签约仪式。

根据合作框架协议，华灿光电在合作区落户“京灿光电 (广东 )有限公司”，该公司定位为南方总部、国际人才中心和Micro LED&GaN芯片研发中心等，未来三年将引进200名研发及管理人才在合作区办公，并管理华灿光电张家港、义乌、玉溪、珠海（在建）四大生产基地。

除了珠海GaN芯片研发中心项目外，据12月22日华灿光电发布的2份公告，目前，他们还在推进“GaN 基电力电子器件的研发与制造项目”，该项目募集资金约15亿元。华灿光电拟使用募集资金向北方华创购买生产设备，总额预计不超过5500万元，其中用于“GaN 基电力电子器件的研发与制造项目”的募集资金不超过 500 万元。

根据公告，该项目达到预定可使用状态期限为2024年12月31日。

国盛公司：GaN外延片正式下线

12月22日，中电材料宣布，其下属国盛公司南京外延材料产业基地项目第一枚硅基氮化镓（GaN on Si）外延产品下线，标志着国盛公司已步入第三代半导体产业发展的快车道。

硅基氮化镓材料拥有高频率、低损耗、抗辐射性强等优势，同时整体具有更大的成本优势，具有极高的竞争力。据了解，国盛公司制备的硅基氮化镓外延片，可以满足电力电子用氮化镓器件的需求。

近年来，中电科半导体材料有限公司稳步推进碳化硅及氮化镓外延产业发展。据“行家说三代半”此前报道，今年11月10日，中电材料下属国盛公司的南京外延材料产业基地宣布正式投产运行。该项目一期投资19.3亿元，年产8-12英寸硅外延片456万片，年产6-8英寸化合物外延片12.6万片。自投产以来，大尺寸硅外延片、碳化硅外延片已先后实现客户交付。