7月27日,纳微半导体在官网公布了其2026年第二季度财报,其中包括多个亮点信息:
该季度公司总营收环比增长22%,达7131万元人民币;
该季度公司高功率产品所在市场的营收同比增长了50%以上,反映出产品结构改善;
该季度收入增长主要来自于AI数据中心以及电网和能源基础设施订单。
根据财报,今年二季度,纳微半导体的净收入为1052.9万美元(折合约7131万元人民币),非GAAP毛利率为39.5%,环比上涨50个基点;非GAAP营业亏损为1140万美元。同时,预计2026年第三季度的净收入将增至1350万美元。
纳微半导体总裁兼首席执行官克里斯·亚历山大(Chris Allexandre)表示,今年二季度的收入增长,主要得益于“Navitas 2.0”战略转型,即从传统移动/低端电子消费市场转向AI数据中心及能源基础设施。预计到今年年底,纳微半导体将完成转型,届时高功率市场销售额将占公司总销售额1/3以上。
纳微半导体透露,基于GaN和SiC的产品订单量在不断增加,积压订单和订单出货比达到创纪录水平。目前部分产品已被应用于多个客户的新型项目,其中包括下一代人工智能数据中心。
在本次财务会议上,纳微半导体还披露了他们在AI数据中心供电架构三段式变化当中的产品布局及进展:
第一阶段:10kV→800V(SST)
采用GeneSiC超高压SiC技术(1.2/3.3/6.5kV)。目前,纳微半导体计划在今年第三季度推出第三代6.5 kV SiC技术产品,在2027年初则推出1.2kV JFET产品系列。
第二阶段:800V→48V DC-DC
采用高压GaN+SiC+中压GaN组合,目标客户为台达电子/光宝科技/伟创力。目前,初步工程样品已通过早期客户评估,预计于2026年底开始为量产爬坡做准备。值得一提的是,纳微半导体与Global Foundries合作的8英寸GaN芯片制造项目将在2026年底前完成所有客户测试和验证工作,首批合格产品预计将在2027年初推出。
第三阶段:48V→12V DC-DC
采用新型80-200V中压GaN。相关产品计划在今年第四季度交付最终工程样品,同样预计于2026年底开始为量产爬坡做准备。
纳微半导体表示,基于这三个阶段对SiC和GaN的需求,到2023年,其可服务市场(SAM)将实现每年60%-75%的增长,规模达到35亿美元以上。同时,纳微半导体还预计未来两个季度将继续保持两位数环比增长,全年营收实现中个位数增长。
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