JSM20752L200V半桥高侧栅极驱动芯片

一、概览

JSM20752L是一款高压、高速功率 MOSFET高侧驱动芯片。JSM20752L采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力。

JSM20752L其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达200V。

JSM20752L采用SOT23-6封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作。

二、产品特性

• 自举工作的浮地通道
• 最高工作电压为+200V
• 兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑
• dVs/dt 耐受能力可达+50 V/ns
• Vs 负偏压能力达-9V
• 栅极驱动电压从 10 V到 20V
• 集成欠压锁定电路

  --欠压锁定正向闽值 8.9V

  --欠压锁定负向闽值 8.2V

  芯片传输延时特性

  --开通/关断传输延时 Ton/Toff =130ns/130ns

  --延迟匹配时间小于 50ns

• 宽温度范围-40°C~125°C
• 输出级拉电流/灌电流能力 290mAV600mA
• 符合 RoSH 标准
• SOT23-6

三、应用范围

-电机控制

-空调/洗衣机

-通用逆变器

-微型逆变器驱动

四、技术参数详解：硬核实力看得见

1. 极限工作范围

超过极限最大额定值可能造成器件永久性损坏。所有电压参数的额定值是以 COM为参考的，环境温度为 25℃。

2. 推荐工作范围

为了正确地操作，器件应当在以下推荐条件下使用。V和 COM的偏置额定值是在电源电压为 15V时进行测量的，无特殊说明的情况下，所有电压参数的额定值是以COM为参考的，环境温度为25℃。

五、引脚功能描述

六、功能框图