JSM21271STR300V 集成自举带过流检测的单通道高侧极驱动芯片

一、概览

JSM21271是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片。JSM21271采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。

JSM21271其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率 MSFET，浮地通道最高工作电压可达300 V。JSM21271采用 SOP-8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

二、产品特性

-自举工作的浮地通道

-最高工作电压为+300V

-兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑

-dVs/dt 耐受能力可达±50 V/ns

-Vs 负偏压能力达-5V

-输入输出同相位

-栅极驱动电压

---从8V到 22V

-集成欠压锁定电路

--欠压阈值 6.8V17.2V

-芯片传输延时特性

--开通/关断传输延时 Ton/Toff=150ns/150ns

-宽温度范围-40°C~125°C

-Fautt 引脚故障输出

-符合 RoSH 标准

-SOP-8(S)

三、应用范围

-DC-DC转换器

-开关电源太阳能逆变器

-不间断电源(UPS）

-电机控制和驱动机器人技术

-电动汽车快速充电

四、技术参数详解：硬核实力看得见

1. 极限工作范围

超过极限最大额定值可能造成器件永久性损坏。所有电压参数的额定值是以 VSS为参考的，环境温度为 25℃。

2. 推荐工作范围：

为了正确地操作，器件应当在以下推荐条件下使用。Vs和 VSS 的偏置额定值是在电源电压为 15V 时进行测量的，无特殊说明的情况下，所有电压参数的额定值是以 VSS为参考的，环境温度为25℃。

五、引脚功能描述

六、功能框图