芯耀
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TGV（Through Glass Via）虽然在高频、高绝缘、低热膨胀方面有明显优势，但散热性能一直是其被广泛应用于高功率封装（如SiP、HBM、RF模块）时的短板之一。
为什么TGV有散热问题而TSV没有？
玻璃与硅导热系数差异巨大:
| 材料 | 热导率（W/m·K） | 对比说明 |
|---|---|---|
| 硅 (Si) | ~150 | 良好的导热性 |
| 玻璃 | ~1–1.4 | 极低，几乎是热绝缘体 |
玻璃基体的热导率比硅低两个数量级。因此在TGV结构中，玻璃中介层存在严重的散热问题，热量主要只能沿金属填充通孔（Cu/Ti/Cu等）路径传导。
TGV封装中的导热路径芯片 → 金属互连（Cu Bump） → TGV金属填充 → 下方再分布层 / 载板。
问题在于：
TGV金属孔径小、间距大（Pitch通常>100 μm），无法形成连续散热通道；TGV间玻璃区域形成**“热绝缘岛”**，导致热扩散效率差。
→ 结果：芯片局部温度上升、热点难以扩散。
TGV目前的散热思路？
1，在逻辑芯片上方设置金属散热槽/腔体，使热量经高导热界面材料迅速传到上层的大面积铜层、均热板或散热器，
2,在封装的PCB板种增加散热孔
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