• 正文
  • 相关推荐
申请入驻 产业图谱

辉光放电与弧光放电的区别

12/16 08:17
65
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

什么是辉光放电与弧光放电?

辉光放电 Glow Discharge

电流小(mA 级)

电压高(几百伏)

放电均匀、稳定、可控

等离子体温度较低(低温等离子体)

不会损坏器件

应用 说明
RIE/ICP 刻蚀 气体电离,提供自由基和离子
PECVD、HDPCVD 薄膜沉积
O₂ 去胶/灰化 光刻胶去除
表面活化 提高键合能力
溅射清洗 去除表面污染

弧光放电  Arc Discharge

电流非常大(A ~ 数百 A)

瞬时电压低

局部温度极高(可达几千至上万 °C)

能熔化、蒸发固体

不均匀、跳跃性强、破坏性强

应用 说明
电弧蒸发 用于 PVD 涂层,如 TiN、CrN、AlTiN
离子源(真空电弧) 产生高电荷态金属离子束

二者的核心区别概览?

特性 辉光放电 (Glow Discharge) 弧光放电 (Arc Discharge)
直观感觉 暗淡、弥散、冷(像霓虹灯) 刺眼、细丝状、极热(像电焊
电子来源 二次电子发射(离子撞击阴极 热电子发射(阴极被烧热了)
阴极温度 (< 100°C,甚至室温) 极热(2000°C - 4000°C+)
电流大小 (毫安级 mA) 极大(安培级 A 到 千安级 kA)
电压大小 (几百伏到几千伏) (几十伏,甚至十几伏)

在半导体工艺中,弧光放电是灾难,可导致:

金属溅射污染 wafer

打坏靶材

损伤陶瓷部件

RF 匹配异常

所以 在刻蚀/沉积设备里弧光放电必须极力避免

如有需要1.2L全套微型电镀槽如下图,可联系Tom

目前我们有cmp,光刻,镀膜,键合,量检测的技术群,如需进群,请加Tom微,防失联:

本团队可以接半导体3D动画制作:半导体设备动作,工艺原理等,适合各类机台,各种芯片,动画效果如视频所示:

相关推荐