RT1170 MDK RAM 代码烧录外部Flash实操：非XIP镜像的Flash部署方案

NXP RT1170 的 MDK RAM 工程为非 XIP（就地执行）镜像，默认仅能下载到芯片 RAM 中调试，无法直接烧录到外部 Flash。实际开发中若需将 RAM 代码部署到外部 QSPI Flash 并实现独立启动，需通过工程地址偏移配置、镜像文件生成、专用工具烧录三步实现。本文基于 RT1170-EVK 开发板与 MDK-ARM 环境，详解 RAM 代码适配外部 Flash 的完整流程，包含工程配置、镜像生成、MCUBootUtility 烧录及启动模式切换，实现 RAM 代码在外部 Flash 的稳定运行。

资料获取：如何下载RT1170 MDK RAM代码到外部flash

1. 核心原理与环境准备

1.1 RAM 代码烧录 Flash 的核心逻辑

RT1170 的 RAM 工程（none-xip）与 XIP 工程的核心区别在于运行介质与地址映射：

RAM 工程：代码编译后指向片内 RAM 地址（如 ITCM 0x20000000），无 Flash 启动相关的 IVT/FCB 配置，IDE 仅支持下载到 RAM 调试；
Flash 烧录适配：通过修改工程链接地址偏移和栈 / 程序入口地址，生成可被 Flash 烧录工具识别的 bin/hex 镜像，再通过专用工具将镜像写入外部 QSPI Flash，最后切换芯片启动模式为 Flash 启动，实现代码从外部 Flash 加载到 RAM 运行。

1.2 关键特性说明

非 XIP 特性不变：代码最终仍运行在片内 RAM，外部 Flash 仅作为存储介质，而非运行介质；
IVT 偏移规则：RT1170 的非 XIP 镜像 IVT（镜像向量表）默认偏移 0x400，因此需将 APP 镜像入口地址偏移至 0x2000（避开 IVT 区域）；
ITCM 地址基础：RT1170 的 ITCM（指令紧耦合内存）默认大小 256KB（0x40000），为代码运行的核心 RAM 区域，工程配置需基于该地址。

1.3 软硬件环境准备

硬件：MIMXRT1170-EVK 开发板、USB Type-C 线缆 2 根（烧录 + 调试）、外部 QSPI Flash（开发板板载）；
软件：MDK-ARM（Keil）、RT1170 SDK 2.15.000、MCUBootUtility 工具（v6.1.0 及以上）；
工程基础：从 NXP MCUXpresso SDK Builder 生成的 RT1170 MDK 独立工程（如iled_blinky_cm7闪烁工程，纯 RAM 运行）；
工具下载：
- RT1170 SDK：MCUXpresso SDK Builder；
- MCUBootUtility：GitHub Release。

2. 步骤 1：MDK RAM 工程配置 —— 地址偏移与链接脚本修改

核心是调整工程的栈地址、程序入口地址及链接脚本（.scf），让生成的镜像适配外部 Flash 烧录与 RAM 加载，以 0x2000 作为 APP 镜像入口地址为例。

2.1 生成 RT1170 MDK 独立 RAM 工程

打开 NXP MCUXpresso SDK Builder，选择硬件为MIMXRT1170-EVK，筛选Example Projects；
选择纯 RAM 运行的工程（如led_blinky_cm7），选择开发环境为MDK-ARM，生成并下载工程压缩包（如MIMXRT1170-EVK-iled_blinky_cm7.zip）；
解压后用 MDK-ARM 打开工程，默认工程为 RAM 调试模式，编译后仅能下载到片内 RAM。

2.2 工程目标地址偏移配置

打开 MDK 工程，点击「Options for Target」（魔法棒图标），进入「Target」标签页；
修改栈 / 堆与代码地址：基于 ITCM 0x20000000 基地址，将 APP 入口地址偏移至 0x2000，确保避开 IVT 区域；
关键配置：保持 RAM 基地址为 0x20000000（ITCM），仅调整代码段的偏移起始地址为 0x2000。

2.3 链接脚本（.scf）修改

RT1170 的 MDK 工程使用.scf作为链接脚本，需修改其程序入口、代码段地址，匹配 0x2000 的偏移配置：

在 MDK 工程目录中找到链接脚本文件（如MIMXRT117xx.scf），双击打开；
修改ROM（实际为 RAM 代码段）的起始地址为0x20000000 + 0x2000 = 0x20002000，大小为 ITCM 剩余空间（256KB - 0x2000）；
调整STACK（栈）和HEAP（堆）的地址，避免与代码段重叠；
保存脚本，确保编译后代码的链接地址与偏移配置一致。

2.4 生成 bin/hex 镜像文件

MDK 默认仅生成.out调试文件，需开启hex 文件生成并添加bin 文件生成命令，生成可被烧录工具识别的镜像文件：

进入「Options for Target」→「Output」标签页，勾选Create HEX File，开启 hex 文件生成；
进入「User」标签页，在「After Build/Rebuild」的「Run#1」中添加 bin 文件生成命令（基于 MDK 的 fromelf 工具）：
```
$KARMARMCCbinfromelf.exe --bin --output=debug@L.bin !L
```
- 说明：@L表示工程名，!L表示当前输出的.out 文件，命令执行后会在debug目录生成与工程同名的 bin 文件；
点击「OK」保存配置，编译工程，编译完成后在工程的debug目录下会生成bin+hex两个镜像文件（核心烧录文件）。

3. 步骤 2：MDK 工程调试适配（可选）—— 修改 debug.ini 文件

地址偏移后，直接调试会因调试初始化文件（.ini） 与新地址不匹配导致无法进入代码，若需继续在 MDK 中调试偏移后的 RAM 工程，需修改debug.ini文件，让调试器匹配新的栈（SP）、程序计数器（PC）及中断偏移寄存器地址：

在 MDK 工程目录中找到debug.ini文件，用记事本 / MDK 打开；
修改文件中的Setup 函数，更新 SP、PC 地址为偏移后的 0x2000 相关地址，同时调整中断向量表偏移寄存器；
保存文件后重新编译工程，点击「Debug」即可正常进入偏移后的 RAM 代码调试，验证代码逻辑无问题后，再进行 Flash 烧录。

4. 步骤 3：外部 Flash 烧录 —— 基于 MCUBootUtility 工具

使用 NXP 专用烧录工具MCUBootUtility将生成的 bin/hex 镜像写入 RT1170 的外部 QSPI Flash，该工具支持 RT1170 的 Serial Download Mode（SDP 模式），无需 JLink/ST-Link，仅需 USB 即可烧录。

4.1 开发板切换为 Serial Download Mode（SDP 模式）

RT1170-EVK 通过板载拨码开关SW1切换启动模式，需切换为 SDP 模式以支持 USB 烧录：

SDP 模式拨码：SW1-1=OFF、SW1-2=OFF、SW1-3=OFF、SW1-4=ON；
操作：开发板断电，调整拨码开关后重新上电，用 USB Type-C 线缆将开发板的J20 USB1接口连接到 PC，PC 会识别到 RT1170 的 SDP 设备。

4.2 MCUBootUtility 工具烧录操作

打开 MCUBootUtility 工具，工具会自动识别处于 SDP 模式的 RT1170-EVK 开发板，若未自动识别，点击「连接设备」手动选择；
设备连接成功后，点击「选择文件」，导入工程debug目录下的hex 镜像文件（hex 文件包含地址信息，烧录更精准）；
无需额外配置（工具默认适配 RT1170-EVK 的外部 QSPI Flash），直接点击工具的All-in-One-Action按钮，工具会自动执行「擦除 Flash→写入镜像→校验镜像」全流程；
等待烧录完成，工具提示「操作成功」后，点击「Reset device」复位开发板，断开工具与设备的连接。

5. 步骤 4：启动模式切换 —— 从外部 Flash 启动并验证

烧录完成后，需将 RT1170-EVK 的启动模式切换为内部 Boot 模式（外部 QSPI Flash 启动），让芯片上电后从外部 Flash 加载镜像到 RAM 运行。

5.1 切换为外部 Flash 启动模式

调整开发板拨码开关SW1为内部 Boot 模式（QSPI Flash 启动）：

Flash 启动拨码：SW1-1=OFF、SW1-2=OFF、SW1-3=ON、SW1-4=OFF；
操作：开发板断电，调整拨码开关后重新上电。

5.2 验证代码运行

上电后，RT1170 会自动从外部 QSPI Flash 读取镜像，加载到片内 RAM（ITCM）并执行，以led_blinky_cm7工程为例：

板载 LED 会按照工程中设定的频率闪烁，说明 RAM 代码已成功烧录到外部 Flash 并实现独立启动；
若 LED 未闪烁，检查启动模式拨码、镜像烧录是否成功、工程地址偏移是否正确。

6. 关键避坑事项与问题排查

6.1 烧录后无法启动，LED 无反应

原因 1：启动模式拨码错误，未切换为外部 Flash 启动模式；
原因 2：镜像文件选择错误，使用了 bin 文件而非 hex 文件（bin 文件无地址信息，易烧录地址偏移）；
原因 3：工程地址偏移配置错误，APP 入口地址与 IVT 区域冲突（未避开 0x400 偏移）；
解决：重新核对拨码开关配置，使用 hex 文件重新烧录，检查工程链接地址是否为 0x2000 偏移。

6.2 MDK 编译后无 bin/hex 文件

原因：未开启 hex 文件生成，或 bin 文件生成命令输入错误（路径 / 参数错误）；
解决：勾选「Create HEX File」，核对 fromelf 工具的命令路径（$K为 MDK 安装目录，自动识别），命令格式为$KARMARMCCbinfromelf.exe --bin --output=debug@L.bin !L。

6.3 地址偏移后 MDK 调试无法进入代码

原因：debug.ini文件未同步修改，调试器的 SP/PC 地址仍为默认地址，与偏移后的地址不匹配；
解决：修改debug.ini中的 Setup 函数，更新 SP、PC 及中断向量表偏移地址，与工程链接地址保持一致。

6.4 MCUBootUtility 无法识别开发板

原因 1：开发板未切换为 SDP 模式，或拨码开关配置错误；
原因 2：USB 连接的是调试口而非烧录口（需连接 J20 USB1 接口）；
原因 3：PC 未安装 RT1170 的 USB 驱动，设备识别失败；
解决：重新核对 SDP 模式拨码，更换 USB 线缆并连接正确的 USB 口，安装 NXP USB 驱动（工具自带或官网下载）。

6.5 烧录成功但代码运行异常（如 LED 闪烁频率错误）

原因：工程链接脚本修改错误，栈 / 堆地址与代码段重叠，导致程序运行时内存溢出；
解决：重新检查链接脚本（.scf），确保 STACK、HEAP 与代码段的地址无重叠，ITCM 地址范围控制在 0x20000000~0x2003FFFF（256KB）。

7. 进阶扩展与实用建议

7.1 适配自定义外部 Flash 型号

若使用非 RT1170-EVK 板载的 QSPI Flash 型号（不同容量 / 厂商），需在 MCUBootUtility 中手动配置 Flash 参数：

工具中点击「Flash 配置」，选择对应的 Flash 厂商、型号、容量；
若工具无对应 Flash 配置，可添加自定义 Flash 的擦除 / 编程算法，确保烧录与擦除正常。

7.2 批量烧录适配

量产阶段需实现多设备批量烧录，可基于 MCUBootUtility 的命令行模式编写批处理脚本，自动完成烧录流程，无需手动操作工具，提升量产效率。

7.3 结合 XIP 工程实现 Flash 直接运行

若需让代码直接在外部 Flash 运行（而非加载到 RAM），需将 RAM 工程改为XIP 工程：

修改工程配置为 XIP 模式，添加 Flash 的 IVT/FCB 配置；
链接脚本指向外部 Flash 基地址（如 0x60000000）；
编译后生成 XIP 镜像，用 MCUBootUtility 烧录后，代码可直接在 Flash 中运行，无需加载到 RAM。

7.4 镜像加密与安全烧录

若需提升产品安全性，可在烧录前对 bin/hex 镜像进行加密，结合 RT1170 的 HAB 安全启动功能，实现加密镜像烧录 + 安全启动验证，防止固件篡改与非法烧录。
RT1170 MDK RAM 代码烧录到外部 Flash 的核心是地址偏移适配 + 专用工具烧录，通过修改工程的链接地址、链接脚本，生成适配 Flash 烧录的 bin/hex 镜像，再利用 MCUBootUtility 工具在 SDP 模式下完成烧录，最后切换启动模式即可实现外部 Flash 启动。

该方案保留了 RAM 工程运行速度快的特性（代码最终运行在片内 ITCM），同时利用外部 Flash 实现代码永久存储，兼顾了运行性能与产品实用性。整个流程无需复杂的 Flash 驱动开发，基于官方工具与 SDK 即可实现，适配 RT1170 的所有 RAM 工程，是快速将 RAM 调试代码部署到产品的最优方案。