GJ 最新全球存储市场研究报告解读分享

研读MG（J.P. Morgan）于2026年1月，《全球存储市场：NAND闪存的演进、当前创新与未来展望》的研究报告后，芯科技圈提炼其核心观点与逻辑框架。

该报告的核心论点是：NAND闪存市场正在进入一个由人工智能（AI）推理需求驱动、供应端高度自律的强劲新增长周期，其行业景气度与盈利能力的上行趋势预计将比以往周期更持久。以下是报告核心观点的系统化总结：

1. 需求结构发生根本性转变：eSSD成为核心增长引擎

AI推理驱动新需求：报告指出，尽管在AI模型训练阶段，DRAM（尤其是HBM）是主要受益者，但在AI推理阶段，NAND（特别是企业级固态硬盘eSSD）的价值正急剧凸显。eSSD成为AI的关键赋能者。

KV Cache卸载：为解决GPU内存瓶颈，将AI推理过程中的键值缓存（KV Cache）卸载到高速存储，这需要极低的延迟和极高的读写速度，推动了对高性能eSSD的需求。

近线存储替代HDD：由于硬盘（HDD）供应紧张且交付周期长，同时QLC eSSD的成本效益、能效和性能优势显现，数据中心正加速采用高容量QLC eSSD来替代近线HDD，用于温/冷数据存储。

需求预测强劲：报告预测，eSSD的位需求在2025E-2028E期间的复合年增长率（CAGR）将高达+49%，到2028年，eSSD将占NAND总位需求的53%。到2028年，AI相关NAND市场规模（TAM）预计将达到700亿美元（相比之下，AI DRAM为2200亿美元）。

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2. 供应端高度自律，资本开支（Capex）受限

产能扩张克制：经历2022-2023年的严重下行周期后，主要NAND制造商在产能扩张上非常谨慎。报告预计2025E-2027E期间NAND的资本密集度平均为16%，远低于DRAM的26%。

“增产不增地”策略：制造商主要通过技术迁移（向更高层数的3D NAND演进，如200层以上）来提高每片晶圆的比特产出，而非大规模新增晶圆产能。同时，为追求更高利润，部分洁净室空间被分配给DRAM生产，这进一步限制了NAND的产能增长。

技术复杂化制约产出：向更高堆叠层数（如300层以上）发展以及采用CMOS键合阵列（CBA）、混合键合（Hybrid Bonding）等先进技术，虽然提升了性能和密度，但也增加了工艺难度、资本支出并可能影响初始良率，客观上抑制了供给的过快释放。

3. 行业供需改善，盈利能力进入上升通道

供需关系趋紧：在eSSD需求强劲增长和供应受限的共同作用下，报告预计未来几年NAND市场将处于供应紧张状态，支撑平均售价（ASP）上涨。

ASP进入上涨周期：报告预测，在经历了长期的结构性价格下跌后，未来三年NAND ASP将进入上升通道。预计2026年行业ASP将增长40%（主要受企业级市场驱动），随后在2027年趋于稳定。

盈利指标显著改善：衡量行业盈利能力的核心指标——每千片晶圆每月营收，预计将从2025E的5.5万美元稳步提升至2027E的10.2万美元，反映出单位经济学的显著改善。

总结而言，该报告描绘了NAND市场一个根本性的范式转变：从主要由消费电子产品（智能手机/PC）驱动、周期性强、波动剧烈的“大宗商品”市场，转向一个由AI和云计算基础设施投资驱动的、增长更具结构性、且供需动态更加健康的“新成长”市场。企业级SSD需求的爆发是这一转变的核心，而主要供应商的理性行为是这一周期能够持续的关键。

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