BUCK功率参数合集(3)：MOSFET功率损耗大揭秘付费

在电源设计领域，BUCK 电路是至关重要的组成部分。深入理解 BUCK 功率参数，尤其是开关管功率损耗，是优化电路设计、提升系统性能的关键所在。今天，就让我们一同揭开 BUCK 功率参数中开关管功率损耗的神秘面纱。

1、开关管功率损耗有哪些

图 3.69同步降压转换器的功率损耗

图 3.70降压转换器开关节点电压分解

(1) 导通损耗 Conduction loss

当 MOSFET 开关管导通时，电流流经其导通电阻（Rds(on)），根据公式 P = I² × R，会产生导通损耗。例如，若导通电阻为 0.1Ω，导通电流为 10A，则导通损耗为 10W。导通电阻受温度影响较大，温度升高，导通电阻也会相应增加，进而导致导通损耗增大。

(2) 截止损耗

在截止状态，开关管承受较高的电压，但电流截止。截止损耗主要由漏电流引起，漏电流与开关管的材料、结构和温度有关。一般来说，漏电流较小，截止损耗相对较低，但在高温环境下，漏电流会显著增加，截止损耗也不容忽视。

(3) 开关损耗 Switching-loss

开关损耗是开关管在开关过程中产生的损耗。当开关管由截止转为导通时，电压和电流存在重叠时间，同样，在由导通转为截止时，也会出现电压和电流重叠现象。开关损耗与开关频率、电压和电流的变化率密切相关。

(4) 栅极驱动损耗 Gate charge loss