美光开始量产1c DRAM

随着三星电子扩大其10nm第六代DRAM（1c）的量产规模，总部位于美国的美光也加入了这场竞争。随着全球存储器制造商向第六代DRAM过渡，预计竞争将更加激烈。

据半导体行业3月6日消息，美光最近在其位于印度古吉拉特邦萨南德的新存储器工厂开始采用“1gamma”工艺量产晶圆。美光的1gamma工艺是第六代10nm工艺，在韩国也被称为1c工艺。

除了量产1gamma DRAM之外，美光预计还将开始测试，以确保其下一代HBM（高带宽存储器）的封装良率。这款DRAM预计将用于HBM4E（第七代）堆叠工艺，该工艺预计将于今年年底左右发布。

美光计划于年内在其位于台湾台中和日本广岛的工厂开始生产1gamma DRAM，并设定目标，力争在今年下半年使第六代DRAM的出货量（按位容量计算）占其DRAM总出货量的一半以上。

三星电子是业内首家于去年开始量产第六代DRAM的公司。三星电子是唯一一家将1c DRAM应用于HBM4的内存制造商，从而实现差异化竞争。据报道，近期1c DRAM的良率已达到80%左右，表明HBM的供应前景乐观。

另一家韩国国内内存制造商SK海力士据报道也在为全面量产1c DRAM做准备。与美光一样，SK海力士也计划从HBM4E开始使用1c DRAM。

三星电子、SK海力士和美光科技的第六代DRAM工艺在极紫外光刻（EUV）设备的使用上存在差异。美光科技开发了其1c工艺，旨在最大限度地减少EUV设备的使用，并加速量产。相比之下，三星电子和SK海力士则积极采用EUV技术。

随着主要存储器制造商向第六代DRAM过渡，市场竞争预计将会加剧。由于这是下一代DRAM，分析师预测，各公司第六代DRAM的性能最终将决定HBM的竞争力。

一位业内人士表示：“即使是同一1c DRAM，不同制造商的性能也存在差异，包括发热量和传输速度。随着未来HBM产品对性能的要求越来越高，各公司1c工艺的性能将成为HBM市场主导地位的关键指标。”

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