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SK海力士预计今年仅在设备方面就将投资20万亿韩元。用于先进工艺升级的设备订单预计将占很大一部分。为了增强其DRAM竞争力，SK海力士还支付溢价购买ASML的极紫外（EUV）光刻设备，该设备单价高达数千亿韩元，以加快交付速度。
在去年第四季度财报电话会议上，SK海力士表示：“我们将继续坚持2026年保持销售额30%左右的资本支出比例的政策。”该公司预计今年的销售额将达到约200万亿韩元，简单计算得出资本支出约为70万亿韩元。然而，该政策本身代表了一个投资上限，实际执行金额可能会更低。
据业内人士透露，SK海力士今年的资本支出预计约为40万亿韩元，较去年的28万亿韩元大幅增长。其中超过一半将用于设备投资，其余部分将用于基础设施建设。
这笔基础设施投资的大部分将来自龙仁半导体产业集群一期项目。SK海力士上月宣布，将投资约21万亿韩元用于龙仁半导体产业集群一期二至六期的建设。加上已有的投资（9.4万亿韩元），仅第一座晶圆厂的建设就将投资约31万亿韩元。其中一部分将于今年完成，剩余的基础设施投资将用于扩建清州新建的M15X洁净室等项目。
相关文章：三星电子的营业利润率令人失望，仅为SK海力士的2.5倍SK海力士重新修订了HBM4最终样品，其产量较NVIDIA第一季度下降了2.5倍。SK海力士订购了更多设备，但其产量较韩华半导体对HBM4的影响下降了2.5倍。
对先进工艺迁移的投资预计也将加速。SK海力士已正式制定计划，今年将超过一半的DRAM产能用于1纳米产品。主要生产基地位于利川的M14和M16，清州的M15X工厂也将引进部分1纳米DRAM生产线。M14工厂正在进行每月13.5万片晶圆的转换投资，加上M15X和M16工厂的投资，到年底1纳米DRAM产能将达到约19万片晶圆。
在NAND闪存部门，生产结构正在进行重组，以清州的M15工厂为中心。位于利川M14工厂以下的NAND闪存生产线正在迁移至M15工厂，并已开始向最先进的第九代（321层）NAND闪存工艺过渡。在去年第三季度财报电话会议上，该公司宣布计划今年将其NAND闪存总产量的一半以上替换为321层产品。
SK海力士最初的目标是在去年第三季度完成M14 NAND闪存生产线向M15工厂的迁移。然而，由于生产进度放缓，该项目于去年11月左右被确认暂时中止。一位半导体行业人士表示：“由于去年第一季度M15工厂的产能利用率较低，迁移进程显著放缓。”该人士补充道：“公司计划至少在本月内部决定是否恢复生产。如果恢复生产，迁移工作将于2027年第二季度完成。”
此外，用于下一代HBM4闪存生产的设备投资也在如火如荼地进行中。预计这将为材料、组件和设备制造商带来反弹机会，这些制造商的业绩此前受到SK海力士被动投资政策的影响。特别是，预计今年上半年将迎来新型TC键合机订单，TC键合机是HBM后端加工设备的一种。SK海力士1月份从韩美半导体和韩华半导体订购的五台TC键合机是现有HBM3E生产线的新增设备。一位业内人士表示：“SK海力士预计今年将订购约60台用于HBM4的TC键合机。”
购置极紫外（EUV）光刻设备的成本也占总成本的很大一部分。EUV设备是先进半导体生产的关键，由荷兰公司ASML独家供应。其年产量限制在40-50台，从下单到交付需要一年以上的时间。据业内人士透露，SK海力士计划今年新增约10台EUV设备。
由于供应有限，设备竞争异常激烈。据报道，SK海力士正向ASML支付溢价以加快交付速度。一位半导体行业内部人士表示：“SK海力士向ASML支付了EUV设备价格的15%至20%，以换取加快交付。”考虑到一台EUV设备的成本约为3000亿韩元，这意味着每台设备的成本高达600亿韩元。
与此同时，SK海力士持续的大规模投资得益于其稳健的财务结构。根据审计报告，截至去年年底，公司现金及现金等价物为34.9422万亿韩元，较上年的14.1563万亿韩元增长146.84%。同期，资本也增长了63.25%，从73.9157万亿韩元增至120.6667万亿韩元，实现了净现金状态。尽管公司正在进行多项资本支出，包括投资美国人工智能公司和注销库存股，但据评估，该公司仍拥有充足的投资能力。
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