芯耀
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有媒体预测，三星电子和SK海力士第二季度DRAM合约价格可能上涨约40%，涨幅甚至可能高达70%。
另有预测称，英伟达即将在其年度开发者大会上宣布推出下一代人工智能（AI）半导体，可能会进一步推高价格。
《DigiTimes》3月3日援引元器件供应链信息报道称，“内存半导体厂商正在加速缩小市场现货价格与固定合约价格之间的差距。”
目前，DRAM市场现货价格通常比厂商与客户之间的固定合约价格高出40%至50%。
内存半导体供应商正试图通过将第二季度DRAM合约价格设定得尽可能接近市场价格来反映这一情况。
DigiTimes报道称，业内有传言称三星电子和SK海力士将在第二季度提价约40%。
然而，一些供应链消息人士预测，第二季度价格涨幅可能高达70%。
这是因为随着NVIDIA年度开发者大会GTC 2026的临近，内存半导体供应短缺加剧的可能性正在增加。
DigiTimes预测，“NVIDIA可能会发布其下一代AI半导体Feynman系列，并宣布采用下一代HBM4E或HBM5高带宽内存的计划”，并补充道，“这将自然加剧内存半导体公司之间的竞争。”
如果内存半导体制造商增加对下一代HBM的生产投资，那么对DRAM和NAND闪存工厂的投资可能会减少。
这自然预示着内存半导体短缺将加剧，并可能进一步推高价格。
DigiTimes报道称，“三星电子、SK海力士和美光正全力投入人工智能存储半导体领域”，并预测“这些供应商在相关市场的强势地位将得以维持”。
该报道还指出，存储半导体供应短缺可能在未来至少两年内成为“新常态”。
尽管半导体厂商产能扩张投资的影响将逐渐显现，但以高带宽内存为中心的市场格局短期内不太可能发生改变。
DigiTimes补充道，“存储半导体市场正在打破现有的供需规律，需求如同黑洞般难以捉摸。”他们还表示，“尽管有人提出增长放缓的可能性，但业内人士认为，存储客户长期来看将面临严峻挑战。”
英伟达将于3月中旬在加利福尼亚州举办GTC2026开发者大会。该公司极有可能在会上公布其人工智能半导体业务的中长期发展路线图。
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