英伟达将访问三星HBM4工厂

英伟达近期对三星电子天安封装工厂的一系列短期访问引发了广泛猜测，认为其下一代HBM4（高带宽内存）供应链评估已进入最后阶段。业内人士推测，此次访问并非简单的合作关系评估，而可能是为了验证英伟达用于其下一代人工智能加速器VeraRubin的HBM4量产和封装生产线的实际性能。

关键不在于“性能数据”，而在于“交付性能”。鉴于三星电子强调HBM4的量产及其高达13Gbps（13吉比特/秒）的传输速度承诺，业内人士认为英伟达的现场考察将重点关注良率、封装一致性和交付响应能力。

据半导体行业消息人士3月9日透露，英伟达将于3月12日访问三星电子天安园区进行“审核”。 NVIDIA 也于三月第一周访问了同一工厂。鉴于在如此短的时间内对同一地点进行如此频繁的访问实属罕见，业内人士认为这更像是一次现场考察，而非典型的合作伙伴会议。

天安园区是三星半导体封装和后处理能力的所在地。HBM 的生产工艺是将 8 到 16 个 DRAM 堆叠在一起，与基片结合，然后经过复杂的封装工艺制成成品。即使采用相同的设计和工艺，封装精度、散热和电源管理或良率方面的任何差异都会影响批量生产时的性能和交付时间。这解释了为什么业内人士认为“HBM 对封装的依赖程度高于晶圆”。

市场关注的焦点集中在 VeraRubin 的 HBM4 供应链上。业内人士认为，VeraRubin 的 HBM4 供应商已缩小范围至三星电子和 SK 海力士，而美国的 Micron 预计将专注于中端产品，而非 VeraRubin。

NVIDIA 对 HBM4 的要求超过了联合电子器件工程委员会 (JEDEC) 制定的 8Gbps 标准。据报道，各供应商正在进行 10Gb/11Gb 级别的质量测试。三星电子采用基于 1c（10nm 级第六代）DRAM 的 4nm 逻辑工艺开发了 HBM4，其性能超过了 JEDEC 标准的 11Gbps，并强调了其高达 13Gbps 的潜力。然而，业界区分“性能”和“量产稳定性”。这是因为实际的供货量不仅取决于样品性能，还取决于量产阶段的良率、发热量、封装一致性和供应稳定性的验证。

由于 VeraRubin 将采用 HBM4，一旦供货量确定，供应链可能会长期处于紧张状态。这就解释了为什么近期一系列对天安的访问被猜测为“最终验证的标志”。

这个问题并非仅限于HBM4产品。去年10月31日，三星电子宣布与NVIDIA建立战略合作伙伴关系，共同打造“半导体AI工厂”。三星计划在未来几年内通过引入超过5万块NVIDIA GPU（图形处理器）来扩展其AI工厂基础设施，并加速构建基于全宇宙的数字孪生制造环境。该计划旨在将AI应用于整个制造流程，涵盖内存、系统半导体和晶圆代工，以缩短开发和量产周期，并提高制造效率和质量竞争力。

双方还在探讨扩大在晶圆代工领域的合作。三星晶圆代工计划采用8nm工艺对NVIDIA的旧款GPU RTX 3060进行再制造。这一趋势，加上该公司预计每月3万至4万颗的8纳米制程产能，也提高了人们对产能利用率提升的预期。最终，NVIDIA更有动力通过整合内存（HBM）、后端处理（封装）和制造合作（代工厂）来管理供应链风险。

一位业内人士表示：“关键问题在于，在NVIDIA对三星电子进行审计之后，关于HBM4分配的讨论是否会真正加速，以及三星的HBM4扩张能否转化为实际产量。”另一位业内人士补充道：“HBM4竞争的下一阶段可能取决于验证结果和产量。”

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