NAND晶圆2月涨价25%

2 月份，包括 NAND 闪存晶圆在内的全球内存现货市场主要产品价格全面上涨。

据 IT 媒体 DigiTimes 本月汇编的市场数据显示，供需缺口迅速扩大，推高现货价格，加剧了资金压力。有警告称，如果这种趋势持续下去，可能会导致“产业周期崩溃”。

NAND 晶圆引领了 2 月份现货价格的上涨。1TB TLC 闪存晶圆环比上涨 25%，达到 25 美元，这是该报告确认的最大单月涨幅。DDR5 16G (2Gx8) 芯片上涨 7.4%，达到 39 美元，而 DDR3 4Gb (512Mx8) 芯片上涨 7.5%，达到 5.70 美元。

DDR4 的价格在不同产品类别之间有所差异。 8Gb (1Gx8) DRAM 价格上涨 6.8% 至 33 美元，而 16Gb (2Gx8) DRAM 价格仅上涨 0.26% 至 78.10 美元。这较 1 月份所有 DRAM 产品 20-30% 的月度涨幅有所放缓。DigiTimes 分析认为，此次涨幅放缓“部分原因是季节性因素，而非结构性压力缓解的迹象”。

此次现货价格上涨值得关注，因为与此同时，合约价格预测也上调。市场研究公司 TrendForce 大幅上调了其 2026 年第一季度通用 DRAM 合约价格预测，从之前的 55-60% 的涨幅上调至 90-95%。PC DRAM 价格预计将环比翻番以上，TrendForce 认为这将创下新的季度纪录。NAND 闪存合约价格预测也从之前的 33-38% 的涨幅上调至 55-60%。

此次价格飙升的根本原因在于通用DRAM和消费级NAND市场供应短缺，因为人工智能基础设施的需求已将内存供应集中于服务器DRAM和高带宽内存（HBM）。北美云服务提供商自2025年下半年起通过预购获得了配额，导致其他买家采购困难，订单被推迟。TrendForce指出，即使是已从供应商处获得配额的一线PC OEM厂商，其库存水平也在下降。

在NAND方面，长期趋势显而易见。据DigiTimes援引ChinaFlashMarket的数据报道，自2025年10月以来，1Tb QLC/TLC闪存晶圆价格已上涨近三倍，512Gb TLC价格同期上涨近五倍。由于供应商将精力集中在高利润的企业级SSD生产上，模块制造商可获得的晶圆供应有限，这成为支撑NAND市场整体上涨的结构性因素。

DigiTimes 警告称，如果供需缺口持续扩大，资金压力可能达到临界点，导致整个行业周期崩溃。除非人工智能基础设施投资放缓，否则内存需求（尤其是服务器内存需求）的集中度不太可能缓解。

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