BUCK功率参数合集(13)：深度揭秘为何低边MOSFET交叉损耗远小于高边MOSFET？付费

同步BUCK电路的交叉损耗中隐藏着一个令人震惊的秘密！高边 MOSFET 的交叉损耗竟高达低边的 60 倍！这看似不合常理的现象，背后究竟有着怎样不为人知的原理？此文，深入剖析为何低边 MOSFET 的交叉损耗会比高边 MOSFET 小很多。

1、高边、低边MOSFET交叉损耗算例

参考前文[ BUCK功率参数合集(12)：MOSFET开关损耗或交叉损耗公式直观理解 ]，根据图形直观理解的同步BUCK电路中高边和低边MOSFET的交叉损耗，如下所示：

$$ \begin{align*} P_{SW-H} &= \frac{1}{2} \times V_{IN} \times (T_{r-H} + T_{f-H}) \times I_{OUT} \times F_{SW} \tag{3.354} \\ P_{SW-L} &= \frac{1}{2} \times V_D \times (T_{r-L} + T_{f-L}) \times I_{OUT} \times F_{SW} \tag{3.355} \end{align*} $$

参考“ROHM Efficiency of Buck Converter”文档，同步BUCK电路中，高边和低边MOSFET的开关损耗或交叉损耗算例，如下所示：

该算例中，输入电压 V_IN=5V ，低边MOSFET体二极管正向压降 V_D=0.5V ，负载电流 I_OUT=3.0A ，开关频率 F_SW=1.0MHz ，高边MOSFET上升时间 T_r-H=4ns ，高边MOSFET下降时间 T_f-H=6ns ，低边MOSFET上升时间 T_r-L=2ns ，低边MOSFET下降时间 T_f-L=2ns。

最终计算得到高边MOSFET交叉损耗 P_SW-H=180mW ，低边MOSFET交叉损耗 P_SW-L=3mW 。为何高边MOSFET交叉损耗是低边的60倍之多？

2、转换过程详解

图 3.70降压转换器开关节点电压分解