天域：SiC营收增长1.9亿

3月16日，天域半导体发布了2025财年业绩预告。报告期内，天域半导体2025财年SiC外延收入同比增加约1.9亿元人民币，净亏损同比大幅收窄近90%。

营收增长1.9亿亏损收窄接近90%

据业绩预告披露，2025财年天域半导体的核心财务指标呈现出强劲的复苏态势，经营基本面得到扭转。

天域半导体表示，2025财年SiC外延整体收入较2024财年同比增加约1.9亿元人民币。天域此前招股书数据显示，其2024年SiC外延营收为5.2亿元。据此推断，2025年天域半导体SiC外延营收将达到7.1亿元左右。

此外，天域半导体公告还提到，他们预计2025财年公司的净亏损约5500-6500万元人民币。相比2024财年确认的5.003亿元，亏损幅度同比收窄达87%至89%。天域董事会指出，2025年公司亏损收窄有以下原因：

而如果剔除港股上市费用，天域半导体的整体亏损还将进一步收窄。天域公告提到，由于公司在2025年底成功登陆港交所，本期计入了约1500万元的上市相关开支。

首先是8英寸SiC外延产能的提升。去年12月，天域半导体举行了东莞生态园新基地通线仪式。据介绍，这条产线投产后，将与天域总部42万片年产能形成协同，助力东莞生态园基地快速达成新增38万片产能的目标，推动天域总产能向80万片迈进，未来更将剑指200万片/年的宏伟蓝图。

其次是8英寸SiC合作取得领先进展。除了士兰微等国内外头部客户达成合作外，去年2月份，天域还与韩国EYEQ Lab签署协议。EYEQ Lab运营着韩国首家8英寸SiC功率半导体代工厂，天域将为其提供覆盖650V至2kV全规格的SiC外延片。

除了主流的SiC单晶外延技术外，天域半导体还持续布局其他新型技术，持续巩固自身竞争力，为进入更多新市场做好准备。例如在今年1月，天域与青禾晶元达成战略合作，聚焦键合碳化硅、12英寸及以上SiC复合散热基板等前沿方案。

通过整合天域的材料专长与青禾晶元的离子注入、晶圆级键合技术，双方旨在开发电阻率更低（如实现45倍降幅）、热管理更优的复合衬底，为低压SiC器件的性能跃升开辟新路径。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。