ASC60N650MDT7碳化硅MOS（DT3PAK 封装)顶部冷却：突破传统散热瓶颈

ASC60N650MDT7650V，60A，30mΩ，N 沟道，碳化硅 MOSFET

引脚示意：

Drain(Tab)：漏极（Tab）

Gate(1)：栅极（1）

Kelvin Source(2)：开尔文源极（2）

Source(3-7)：源极（3-7）

采用 DT3PAK 封装，可确保高功率密度和能源关键系统的高温稳定运行，实现紧凑设计并降低 EMI。是一种专为高性能碳化硅（SiC）MOSFET设计的顶部冷却式表面贴装（SMD）封装。它的核心优势在于通过创新的散热和电气设计，充分释放SiC器件的高频高效潜力，特别适合电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、DC/DC转换器及工业电源等高功率密度场景.

DT3PAK封装集成了开尔文源极（Kelvin Source）引脚。它将栅极驱动回路与功率源极回路分离，显著降低了栅极回路中的寄生电感。这能有效减少开关过程中的振荡和损耗，使SiC MOSFET能够以更高的频率、更低的开关损耗运行，从而提升整体效率并允许使用更小的无源元件。

顶部冷却：突破传统散热瓶颈

传统底部散热封装（如H2PAK/D2PAK）的热量需通过PCB铜层传导，这在高功率下会形成散热瓶颈。DT3PAK 采用顶部冷却（Top-Side Cooling）设计，散热焊盘位于封装顶部，可直接连接外部散热器（风冷或液冷）。热量从芯片顶部直接导出，无需经过PCB，从根本上避免了PCB的热阻限制，实现了更优的热管理

低热阻与高功率密度

得益于直接的散热路径，DT3PAK具备极低的热阻，典型结到壳热阻（RθJC）可低至0.6 K/W。这使得器件能在更高功率下稳定运行，或是在同等功率下保持更低的结温，从而提升了系统功率密度并增强了长期可靠性。
MOSFET产品覆盖650-3300V电压、5-200A电流，自主研发，通过AEC-Q101

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