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科创板半导体与美国纳斯达克半导体估值对比(数据整理)

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统计口径:市盈率除特别标注外均为滚动市盈率(PE-TTM);A股为人民币口径,美股为美元口径。数据来源与时点随表标注,仅供参考。

一、指数层面直接对比(科创板 vs 美股)

口径 科创板/A股 PE-TTM(倍) 美股对标 PE(倍) A股/美股倍数
科创板芯片指数 科创芯片 (000685.SH) 137.97 费城半导体 SOX 30–36(TTM) 约 4–4.6 倍
科创板芯片设计 科创芯片设计 (950162) 116–125 费城半导体 SOX 30–36(TTM) 约 3.2–4.2 倍
科创板综合(半导体权重超 83%) 科创50 (000688.SH) 119.2 纳斯达克100 28.75–30.86(TTM) 约 3.9–4.1 倍
科创50(剔除亏损股) 000688.SH 73.9 纳斯达克100 28.75–30.86(TTM) 约 2.4–2.6 倍
全 A 半导体 中证全指半导体 (H30184.CS) 80.74 费城半导体 SOX 30–36(TTM) 约 2.2–2.7 倍
全 A 半导体 申万半导体 (pt01801081) 67.52–71.52 费城半导体 SOX 30–36(TTM) 约 1.9–2.4 倍

时点:A股 2026-10-08(westock 行情数据);SOX 为 2026-09~10(华西证券策略报告);纳斯达克100 为 2026-10-06~08(worldperatio.com / 界面新闻)。

远期 PE 口径的对比:

口径 科创板 美股 数据时点 来源
半导体板块远期 PE 卖方测算 A 股半导体对应 2026 年业绩动态 PE 约 112 倍 费城半导体 SOX 远期 PE 17.1–19.98 倍 2026-09~10 东方财富财富号 / Scott Rubner 研报 / DollarLiquidity
科技综合指数远期 PE — 纳斯达克100 远期 PE 21.7 倍(较 2026 年高点回落 14%) 2026-10 Scott Rubner 研报

美股半导体远期 PE 补充数据(DollarLiquidity,2026-10-07):半导体板块远期 PE 19.98 倍,盈利收益率 5.00%,处于近 5 年 26% 分位,5 年中位数 22.79 倍。同期标普500 远期 PE 18.94–20.30 倍——按远期口径,美股半导体估值已低于标普500 大盘。

二、龙头个股一一对应对比(2026-10-08)

A股数据来源:westock 行情数据,2026-10-08;美股数据来源:westock / TradingView / 雪球整理,2026 年 10 月。

环节 A股/科创板 代码 PE-TTM(倍) 美股对标 代码 美股 PE 倍数
AI 芯片/算力 寒武纪 688256.SH 185.14 英伟达 NVDA TTM 约 30 / 远期 19.93 约 6 倍(TTM)/ 9 倍(远期)
AI 芯片/算力 海光信息 688041.SH 163.15 博通 AVGO 约 44(TTM) 约 3.7 倍
晶圆代工 中芯国际 688981.SH 127.21 台积电 TSM 约 22–37(TTM) 约 3.4–5.8 倍
晶圆代工 华虹宏力 688347.SH 542.43 格芯 GFS 低双位数 约 30 倍以上
半导体设备 中微公司 688012.SH 70.92 应用材料 AMAT 约 46(TTM) 约 1.5 倍
内存接口芯片 澜起科技 688008.SH 78.23 科磊 KLAC 约 56(TTM) 约 1.4 倍
存储 长鑫科技 688825.SH 41.92(动态 22.10) 美光 MU 远期 6.01 动态口径约 3.7 倍

A股动态 PE(最新报告期年化口径)与美股远期 PE 的对照:

A股公司 代码 PE 动态(倍) 美股对标 远期 PE(倍)
寒武纪 688256.SH 133.48 英伟达 (NVDA) 19.93
海光信息 688041.SH 142.51 博通 (AVGO) —
中芯国际 688981.SH 102.62 台积电 (TSM) —
华虹宏力 688347.SH 476.78 格芯 (GFS) —
中微公司 688012.SH 53.10 应用材料 (AMAT) —
长鑫科技 688825.SH 22.10 美光 (MU) 6.01

美股补充(TradingView 筛选数据,2026 年 10 月,SOX 28 只成员股,按远期 PE 从低到高):美光 6.01 倍、恩智浦 (NXPI) 14.62 倍、高通 (QCOM) 19.58 倍、英伟达 (NVDA) 19.93 倍、微芯科技 (MCHP) 20.61 倍,标普500(SPY)20.30 倍。SOX 成分股中 4 只远期 PE 低于标普500。

科创板未盈利标的原始数据(westock,2026-10-08):沐曦股份 (688802.SH) PE-TTM 21028.25 倍(微利所致)、总市值 1870.79 亿元;燧原科技 (688801.SH) PE-TTM -154.83 倍(亏损)、总市值 1835.86 亿元;盛合晶微 (688820.SH) PE-TTM 211.09 倍、总市值 1973.61 亿元。

三、历史分位与区间数据(科创板与美股方向对照)

• 科创50:2026-07-09 单日上涨 8.41% 后 PE-TTM 达 241.69 倍,历史分位 99.71%;此前 2025-06-30 曾达 259 倍;2026-07-17 回落至 107.5 倍;2026-10-08 为 119.2 倍。指数上市以来 PE 均值约 50 倍,当前约为均值的 2 倍以上。(来源:财经头条/东方财富财富号)

• 科创芯片:2026-10 月初 PE 处于近 1 年 20% 分位,近 1 年历史区间为 125–318 倍。(来源:westock)

• SW 半导体指数:截至 2026-06-30,PE-TTM 为 161.68 倍,处于 2019 年以来 99.72% 分位;子行业:集成电路封测约 120 倍、数字芯片设计约 137 倍、半导体材料 281 倍、分立器件 241 倍。(来源:东方财富财富号,2026-07-19)

• 费城半导体指数:2026-08-05 远期 PE 21.7 倍(2011 年以来 79.8% 分位);2026-09-18 为 20.2 倍;2011 年以来长期均值 17.5 倍、中位数 15.7 倍,周期低点 8.8 倍(2011-08)。(来源:historyofmarket.com)

• 费城半导体指数 PE-TTM:2026-09-21 报 35.95 倍(来源:华西证券海外策略);2026-08-31 SOXQ ETF 披露 P/E 为 38.21 倍。

• 纳斯达克100:2026-10-06 PE-TTM 30.86 倍(5 年均值区间 27.55–33.44);2026-10-08 纳指 ETF 富国披露其跟踪指数 PE-TTM 28.75 倍,处于近 1 年 11.26% 分位。

13 个主流半导体指数估值全景(Wind,截至 2026-09-01;分位数起始日期为各指数上市首日):

指数 PE-TTM(倍) PE 历史分位 PB-LF(倍)
科创半导体材料设备 179.27 84.28% 10.81
科创芯片 154.71 58.77% 10.50
中证半导 147.90 93.48% 10.94
科创芯片设计 124.60 0.00%(上市时间短,样本不足) 13.32
半导体材料设备 132.26 90.59% 10.62
中韩半导体 108.18 97.33% 6.60
中华半导体芯片 94.10 60.46% 8.33
中证全指半导体 91.26 58.36% 8.41
国证芯片 88.58 56.53% 8.96
芯片产业 84.91 67.85% 8.42
集成电路 84.35 12.39% 7.64
半导体行业精选 75.79 33.33% 8.24
费城半导体指数 35.87 64.47% 14.11

四、口径说明

• 科创板指数将亏损企业纳入加权计算,会抬高指数 PE-TTM;剔除负值后,科创50 PE 为 73.9 倍(westock,2026-10-08)。

• A股个股"市盈率(动)"为按最新报告期年化的预测口径,与 TTM 口径不同;美股远期 PE 为分析师对未来 12 个月预期盈利的估值口径。两种预测口径并列对照,未做统一调整。

• 美股存储类公司(美光等)远期 PE 处于低位,对应的是分析师对未来 12 个月预期盈利的估值,其盈利处于景气高位。

• 各指数 PE 分位数的起始日期为各指数上市首日,发布时间较短的指数分位数样本不足,仅作参考。

• "A股/美股倍数"列为两列 PE 的直接相除结果,因两侧数据时点(2026 年 9–10 月)与来源存在差异,仅代表量级。

• 以上数据来自不同来源与不同时点,统计口径存在差异,未做跨源统一调整。

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数据整理日期:2026-10-09

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