中国DRAM产能将激增31%

10月15日，特斯拉首席执行官埃隆·马斯克（Elon Musk）在X（原推特）上表示：“到2028年，中国将生产海量的存储芯片（RAM）。”这一言论引发了市场担忧，人们担心行业可能提前迎来“见顶”——即市场在达到巅峰后转而进入下行周期。

市场正密切关注2028年可能出现的两大因素叠加：中国的大规模产能扩张，以及全球人工智能（AI）投资放缓。当前背景包括：旨在抑制通胀的高利率政策、欧洲等主要经济体的停滞，以及围绕AI盈利能力的持续争论。

尽管有人认为，中国在技术上的追赶尚未对韩国企业的竞争力构成直接威胁，但多数专家一致认为，这种进步速度非常快。

据业内人士10月18日透露，马斯克过去几天就存储芯片发表了一系列言论，令半导体行业感到紧张。10月11日，他指出RAM短缺可能是AI市场的一个潜在瓶颈；10月12日，他又表示，一旦中国掌握了必要的制造技术，就有可能大幅扩大产能。

10月13日，他指出，虽然美光（Micron）设定的价格“合理”，但其竞争对手——推测是指三星电子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）——所要求的存储芯片价格却“高得离谱”。

苹果公司也给韩国巨头——三星电子和SK海力士——施加了压力，暗示可能采用中国制造的DRAM。在最近接受美国《时代》周刊（Time）采访时，苹果硬件工程高级副总裁约翰·特努斯（John Ternus）将存储芯片供应受限形容为一场“绝对的危机”，并表示公司正在“考虑所有方案”以应对这一局面。事实上，中国半导体企业正释放出在2028年前大幅扩大产能的信号。作为苹果公司潜在的关键供应商，长鑫存储（CXMT）已启动其上海新晶圆厂（fab）的设备招标工作。该公司计划建设一系列新晶圆厂，首个项目将于今年第四季度在上海动工，随后还将在合肥和北京增设生产设施。

长鑫存储目前的DRAM月产能估计在20万至25万片晶圆之间，预计到今年年底将超过30万片。如果这些扩产计划按预定进度推进，从现在到2028年，该公司每年将新增7万至8万片晶圆的月产能。证券行业内有观点预测，到2028年底，长鑫存储的DRAM月产能有望达到50万至60万片，这一规模将使其跻身全球第三。作为对比，三星电子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）目前的月产能分别约为70万片和60万片晶圆。

中国在NAND闪存市场——存储行业的另一大支柱——的攻势同样不容小觑。据市场研究机构Counterpoint Research统计，长江存储（YMTC）在今年第二季度占据了全球NAND出货量16.5%的市场份额，稳居行业第三，并正迅速缩小与三星电子（28%）和SK海力士（19%）之间的差距。专家估计，尽管在DRAM领域，韩国与中国之间仍存在3至5年的技术差距，但在NAND闪存领域，这一差距已缩短至约一年左右。鉴于中国在同质化存储器市场上的快速追赶，韩国存储半导体行业所预期的“超级周期”（此前预计将在2030年前后达到顶峰）极有可能提前终结。

据多家媒体报道，长鑫存储（CXMT）今年第三季度的营收预计将同比增长589%至619%。在获得额外资本（部分通过公开上市筹集）后，该公司近期宣布计划在今年年底前推出全球首款采用新一代4F²架构的服务器级DRAM产品。

成均馆大学化学工程系教授权锡俊（Kwon Seok-jun）表示：“到2030年，决定韩国存储半导体行业营收的最关键变量，未必是中国带来的威胁，而是人工智能（AI）领域的需求。”他补充道：“核心因素在于，美国各大云服务巨头能否维持其目前在AI基础设施方面的投资节奏与规模。”权锡俊进一步指出：“韩国存储行业面临的真正风险，并非未能投资新技术，而是在仅依赖现有传统架构知识的同时，试图去优化新架构。我们必须密切关注中国在半导体技术领域的投资与创新所带来的影响，并制定相应的应对策略。”