芯耀
与非AI
106
一、小型三相无刷驱动的工程现实痛点
在云台、小型风机、办公设备、消费类 BLDC 项目中，采用分立式 MOS 搭建三相驱动会遇到一系列量产难题：
器件数量多，3 组半桥需要 6 颗 MOS + 外围驱动器件，PCB 占用面积大，小体积产品很难布局；
两套方案物料不兼容：部分项目需要 MCU 直接 PWM 驱动，部分需要芯片自带霍尔换相，往往要两套 BOM、两套 PCB；
霍尔传感器供电需要额外 LDO，外围又增加一颗电源芯片，进一步挤占板卡空间；
故障状态难以上报，过流、过热仅硬件关断，MCU 无法感知故障根源，产品异常难以诊断；
电流采样实现繁琐，分立方案要在每相增加采样电阻，外围元件增多；
电池供电场景对休眠功耗敏感，停机状态驱动电路静态电流过高，会消耗电池电量。
HTD8315 系列把三路半桥功率级、电荷泵栅极驱动、片内 LDO、保护检测全部集成在 QFN‑24 封装，同封装提供 PWM 直控、霍尔换相两个版本，针对性解决以上工程痛点。
二、核心硬件能力与工程关注点
1、双型号同封装，适配两种 BLDC 开发路线
HTD8315：ENA/ENB/ENC + PWMA/PWMB/PWMC独立使能 + PWM 输入，MCU 完全自主做换相算法，适合自研 FOC / 方波控制。每一路半桥可以独立开关，除驱动 BLDC 之外，也可以驱动多路独立螺线管感性负载。
HTD8315B：内置霍尔换相逻辑，HA/HB/HC 接入霍尔元件；通过PWM调速、DIR控制转向、nBRAKE实现刹车。MCU 无需处理换相时序，适合快速产品落地。
工程便利点：两款芯片引脚完全兼容，硬件 PCB 不用改动，只更换器件型号，即可在 “软件换相” 与 “硬件霍尔换相” 之间切换，方便项目迭代、多 SKU 复用板卡。
2、功率与电源子系统
供电VIN=3‑12V，适配锂电、5V/12V 适配器等消费类主流供电；每路半桥峰值电流 5A；高低侧 NMOS 总导通电阻典型160mΩ。 内置电荷泵，实现高侧 NMOS 可靠驱动，仅需外接一颗 1μF VCP 电容。 片内集成3.3V/100mA LDO 输出 V3P3，可以直接给霍尔元件、周边小功率 MCU 外设供电，省去外部 LDO 器件。LDO 拥有独立输入引脚 VIN_LDO，可以选择由电机电源或者另外一路电源供电。
3、灵活的电流采样架构
半桥低边源极统一引出LSS引脚。
方案 A：LSS 直接接地，芯片使用内部 MOS 做过流检测，不需要采样电阻；
方案 B：LSS 外接检流电阻到地，用户可外部读取三相总母线电流，用于软件限流、电流闭环控制，注意 LSS 引脚电压不能超过 ±500mV。
4、休眠、故障上报，便于系统整机管理
nSLEEP硬件休眠引脚，拉低进入休眠，半桥全部关断、电荷泵停止工作，休眠电流典型 80μA。唤醒后需要等待约 3ms，待电荷泵稳定后再输出 PWM，否则会出现驱动异常。 开漏输出nFAULT故障引脚，发生过流、热关断时拉低，需要外部上拉电阻，MCU 可以读取该引脚状态，识别故障事件，便于软件做故障记录、告警提示。
5、全套硬件保护，故障自动重试恢复
OCP 过流 / 短路保护：逐相电流检测，1.2μs 防抖滤波；故障关断 2ms 后自动重试；
TSD 热关断：结温典型 150℃触发保护，温度回落自动恢复；
VIN 欠压 UVLO，电源跌落时关闭输出，避免电机误动作。
提示：硬件保护为兜底防护，产品依然建议软件增加堵转、过流判断逻辑，不可完全依赖芯片硬件保护。
三、PCB 布局与外围设计工程要点
散热优先：QFN‑24 底部 PPAD 裸露焊盘必须大面积铺铜接地，增加散热过孔。虽然峰值 5A，但持续大电流工况下热阻较高，铺铜不足会频繁触发热关断。
功率电源 VIN 多引脚要短接在一起，就近放置大容量储能电容 + 0.1μF 陶瓷电容，抑制电机开关尖峰；VCP 引脚务必接 1μF 电容至 VIN，电荷泵缺失电容高侧驱动失效。
SA/SB/SC 三相功率走线短粗；功率区域与逻辑输入（PWMx、ENx、HA/HB/HC、nSLEEP）走线物理隔离，避免 dV/dt 开关噪声耦合造成逻辑误触发。
nFAULT 是开漏输出，必须外接上拉电阻，否则无法输出高电平状态。
使用外部检流电阻方案时，严格控制 LSS 电压不超过 ±500mV；不使用采样电阻直接将 LSS 直连 GND。
nSLEEP 唤醒之后预留至少 3ms 延时再发送 PWM，等待电荷泵建立电压，避免上电初期驱动异常。
典型应用：手持云台、小型三相无刷电机、消费类风机、办公自动化设备、多路螺线管驱动。
佰泰盛世网址： https://www.baitaishengshi.com/ 联系方式：13641438279
