刻蚀设备国产化率升至41%，高端替代才刚起步

刻蚀是芯片制造中最关键的设备之一。根据MIR DATABANK数据显示，中国刻蚀设备的国产化率（按销售额计算）在2026年第二季度达到41%，预计全年为45%。这意味着本土厂商已经拿下成熟制程的大部分新增订单，但在先进逻辑和3D NAND的高端环节，替代才刚开始。同一时间，美国《MATCH法案》提出以75%自给率作为放开管制的条件——国产化率第一次和国际规则直接挂钩。

01、刻蚀是做什么的，41%处在什么位置

芯片制造要在硅片上反复做三件事：把图形印上去、把材料加上去、把多余的材料去掉。刻蚀是第三步，用等离子体选择性地去掉晶圆表面不需要的部分，在硅片上刻出电路结构。芯片结构越复杂、堆叠层数越多，刻蚀步骤越多，设备用量也越大。根据MIR DATABANK数据显示，刻蚀是前工程设备中仅次于光刻的第二大品类，2025年中国市场规模约为520亿元，约占前工程设备的20%。

根据MIR DATABANK数据显示，国产化率的走势并不匀速：2017年为3%，2024年为28%，2025年为37%，2026年一季度40%，二季度达到41%，全年预计45%。

2025年存在一些波动，原因不在国产设备退步，而在确认节奏。设备从出货、装机、验收到确认收入通常要跨几个季度，国产机台出货在增加，收入确认却滞后；同期外资在部分产线集中交货，把市场份额的分母做大，本土厂商的金额占比被摊薄。

02、市场在增长，需求主要来自存储

根据MIR DATABANK数据显示，2026年二季度中国刻蚀设备市场规模约为160亿元，同比增长约28%，连续两个季度跑赢整体晶圆制造设备市场。驱动力主要来自存储：3D NAND堆叠层数增加，刻蚀步骤随之增多；DRAM工艺升级同样抬高刻蚀设备的用量。

公开信息可以对上。据每日经济新闻报道，长鑫存储2026年二季度启动招投标，全年计划扩产5万至6万片；长江存储2号厂房的设备招标已于5月14日启动。

03、管制规则在调整，替代难点在高端

要理解《MATCH法案》，先要知道原来的管制逻辑。2021年底起，美国限制向中国出口用于14纳米逻辑芯片、18纳米DRAM、128层及以上NAND的晶圆制造设备，中国客户采购需要美国发放许可证。这套限制落在具体的晶圆厂上：某座工厂要做先进制程，向它供货就要申请许可；同一家公司另一座做成熟制程的工厂，买同类设备则不受同样的限制。

这就留下了一个口子。企业可以以成熟工厂的名义采购先进设备，到货后再调到先进产线上使用，事后很难核实设备究竟装在哪条线上。按厂管，管住的是厂，不是公司。

2026年4月美国国会提出的《MATCH法案》，改的就是这一点：管制的单位从厂换成公司。长鑫存储、长江存储、中芯国际、华虹等一旦被列名，旗下所有工厂（包括成熟制程厂）采购先进设备都要申请许可，而且默认不批；管制的范围也从“卖不卖新设备”，延伸到再出口、维修和备件——不许卖，也不许修。法案还写进了一个此前没有的设计：75%的自给率阈值。如果中国某类设备的自给率达到75%，美国就不再限制这类设备对华出口。管制的松紧，第一次和中国的国产化水平直接挂钩。

刻蚀被单独写进法案，是因为初版点名了“低温刻蚀设备”。这类设备专门用于高深宽比、侧壁要求光滑的硅刻蚀，对应FinFET、GAA等先进器件结构。据路透社报道，7月修订版取消了这项全国性禁令，但对上述企业的先进设备出口限制和维修许可要求保留了下来。禁令删除，说明产业界的反对有效；限制保留，说明高端刻蚀仍是管制的重点。

国产设备的进展，两家头部公司的半年报能说明位置。中微公司2026年上半年营业收入约为67亿元，同比增长约35%，扣非净利润同比增长约一倍，公司在财报中的归因是：先进逻辑与存储器件关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量提升。面向超高深宽比刻蚀的新机型已完成实验室测试、Beta机在客户端验证；面向7纳米及以下的高选择比设备，计划2026年内送客户端做工艺验证。北方华创2026年上半年营业收入约为202亿元，同比增长约25%，归因于刻蚀、薄膜沉积等多款设备市占率提升。

两家合起来看，国产刻蚀现在的状态是“成熟制程已量产、高端在验证”。这决定了替代的节奏：成熟制程和存储扩产带来的订单能较快转成收入，高端机台从验证到批量订单要跨几个季度。从41%到45%，依靠成熟制程和存储扩产基本可以完成；再往上，取决于先进逻辑和3D NAND高深宽比刻蚀能否批量进线。观察点有三个：国产高端机型的验证进度、存储厂招标中国产设备的占比，以及75%阈值之下美国管制是否松动。