看起来台积电的 10nm 制程的最小特征尺寸为 20nm。
代工界存在着工艺节点和最小特征尺寸两个名词没什么新鲜的,但这两个参数的差异却逐渐成为百分之百的新行业标准。
业界经历的最后一个比较诚实的节点是三星的 90nm 工艺,版图上真实的栅极长度就是 90nm,这在过去才是行业惯例。
然后,到下一个节点 65nm 时,德州仪器发布了一种 65nm 工艺所采用的一个栅极长度却是 130nm。德州仪器显然领先于时代,台积电接下来的 5 个工艺节点都将沿用这种工艺节点和最小特征尺寸之间的差异。
到了英特尔称为 45nm 而台积电称为 40nm 的工艺节点,两家公司的制程中采用的栅极长度为 65nm。
台积电的 20nm 工艺被其称为 16nm,GlobalFoundries 的 20nm 工艺则称为 14nm,英特尔的 27nm 工艺则被称为 20nm。
到了 14nm,英特尔的制程中采用的一个栅极长度为 18nm。
到 10nm 更加奇妙了。我们已经看到台积电的 10nm 工艺制程实际上是一个 20nm 工艺而其之后的 7nm 制程最小特征尺寸为 14nm。
所以,从 90nm 的工艺节点和最小特征尺寸的奇偶校验,到 10nm 的我们要对工艺节点做加倍才能了解其最小特征尺寸,大家明白了这一规律倒也简单。
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事情就是这么简单。
来源: 与非网,作者: 与非网记者,原文链接: https://www.eefocus.com/article/360358.html
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