芯耀
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CINNO Research 产业资讯，韩国半导体材料厂商 S&S Tech 加快极紫外线(EUV)核心材料的开发和量产。据悉，该厂商目前在全球市场上还没有实现商业化的 EUV 用 Pellicle 产品领域已经具备了一定的技术实力。
根据韩媒 ETNews 业界消息，近日 S&S Tech 发布公告称，为了 EUV 工艺的核心材料 Blank Mask 和 Pellicle 的开发和量产，公司决定投资 100 亿韩元（约 5849 万人民币）。该笔投资规模相当于 S&S Tech 的资产(885 亿韩元)和年销售额(844 亿韩元)的 11%左右。
S&S Tech 是一家以半导体曝光工艺中使用的 Blank Mask 材料 s 生产为主的公司。在用光在硅晶片上重复照射电路形状的曝光工艺时，会使用 Mask 材料使光线能容纳电路形状。将在 Mask 上刻电路之前的产品称为 Blank Mask。
S&S Tech 公司已经制造了目前最通用的 ArF 曝光作业中使用的 Blank Mask，并向半导体厂商供应。
公司为应对日益走向半导体精细化的 EUV 时代，将 EUV 用 Pellicle 和 Blank Mask 作为下一代产品推进。
EUV Pellicle 尤其是 S&S Tech 开发的 EUV 用 Pellicle 产品目前在全球尚没有实现商业化的案例。如果能够成功量产的话，将会引起业界很大的关注。
目前和 EUV 用 Pellicle 原理
Pellicle 指半导体制造用 Mask 的“保护盖”。可用于提高价格昂贵的 Mask 的利用率，降低污染度，提高工艺效率。
EUV 用 Pellicle 的技术实现相当困难。EUV 曝光与传统的“透光式”曝光不同，是一种“反射式”的曝光。由于可被所有物质吸收的 EUV 光的独特性质，Mask 由反射光的物质组成。
如果 EUV 的 Pellicle 要放在 Mask 前发挥保护 Mask 的作用，那么透射 EUV 光的同时还要具有导出的特性。该技术的难度相当高。
但为了提高生产效率，国内外多数企业纷纷投入开发，他们认为“总有一天要实现这种技术”。
据传，目前中国台湾 Foundry 厂商 TSMC、日本三井化学、加拿大 Teledyne 等多数海外厂商都致力于 EUV Pellicle 的开发。
其中，S&S Tech 在 EUV Pellicle 开发方面进展显著。有评价称，EUV 光透率达到 90%以上就应用于量产线，目前 S&S Tech 开发的产品透射率为 88%。
业内人士表示，“目前实现在量产线上应用还有一段距离，但如果有需求企业提供积极的帮助，预计产品量产将很快实现。”
在此次公告中，S&S Tech 发布的投资结束日期为明年 6 月 30 日。最早有望在明年下半年实现量产。
另一方面，S&S Tech 在目前作为主力产品的 ArF 用 Blank Mask 之后，通过技术转让等方式，对 EUV 用 Blank Mask 的研究也相当积极。
该领域除了现有强者日本 HOYA、AGC Glass 外，半导体设备行业排名第一的 Applied Materials 也投入开发，成为颇有前途的领域。
