基于SiC衬底的白光LED外延技术--吉林大学技术专利

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成果简介

针对通用半导体照明，以SiC为衬底采用MOCVD方法外延GaN基蓝光LED芯片，并结合YAG荧光粉研制白光LED器件。在SiC衬底上采用AlN和梯度AlGaN缓冲层技术，进行GaN基蓝光LED全结构生长，获得了高效的蓝光外延片。进一步，采用蓝光芯片加YAG荧光粉制备了白光LED芯片，其测试结果显示基于SiC衬底得到的白光LED光效达131 lm/W，处于国内领先水平。

成果成熟度

可产业化

应用领域及市场前景

本项目瞄准半导体照明的高端应用-通用照明，主要应用于取代传统的照明灯具，以及提供应用于高效大功率照明环境的照明灯具，可推动我国汽车照明用LED产业的发展，带来巨大的社会和经济效益。

合作方式

技术转让、技术作价入股