加入星计划,您可以享受以下权益:

  • 创作内容快速变现
  • 行业影响力扩散
  • 作品版权保护
  • 300W+ 专业用户
  • 1.5W+ 优质创作者
  • 5000+ 长期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 推荐器件
  • 相关推荐
  • 电子产业图谱
申请入驻 产业图谱

Soitec 宣布在法国贝宁增设生产线,用于生产创新型碳化硅晶圆, 以提升 SOI 综合供应能力

2022/03/16
472
阅读需 2 分钟
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业法国 Soitec 半导体公司宣布,将在其位于法国贝宁的总部增设新产线,用于生产创新型碳化硅衬底,助力电动汽车和工业市场应对关键挑战。新产线落成后还将同时用于 Soitec 300-mm  SOI 晶圆的生产。

新产线将使用 Soitec 专利的 SmartCut™ 技术来生产创新型 SmartSiC™ 优化衬底,该种衬底由 Soitec 位于格勒诺布尔的 CEA-Leti 的衬底创新中心研发,将在工业及电动汽车应用中扮演关键作用。基于该种衬底的芯片可为电源系统带来显著的能效增益,帮助电动汽车提升续航里程、缩短充电时间并降低成本。目前,Soitec 已经与主要的碳化硅器件制造商展开基于 SmartSiC™ 合作,预测将于 2023 下半年开始实现该产品的盈利。

Soitec 首席执行官 Paul Boudre 表示:“我们预计,到 2030 年,电动汽车将占到新车总量的 40%。 SmartSiC™ 解决方案具备差异化、高性能、可持续和高成本效益的优势,有助于优化能效,并助推电动汽车的广泛普及。此次扩产对我们而言是一个里程碑,因为 SmartSiC™ 将成为 Soitec 的另一大增长引擎,并驱动汽车和工业市场的转型。”

推荐器件

更多器件
器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
32996 1 Vishay Intertechnologies General Purpose Inductor, 76.7uH, 12%, 1 Element,
$0.76 查看
BSS84PW 1 Infineon Technologies AG Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3 PIN
暂无数据 查看
SMMBT2222ALT1G 1 onsemi NPN Bipolar Transistor, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 3000-REEL

ECAD模型

下载ECAD模型
$0.25 查看

相关推荐

电子产业图谱