封面,包括器件编号,IGBT技术的简短描述,如果是带共封装续流二极管的器件,数据手册也会包括二极管的功能,关键参数,应用以及基本的封装信息。
最大额定电气参数和IGBT热阻/二极管热阻
室温下的电气特性,包括静态和动态参数
25°C和150°C或175°C时的开关特性
电气特性图表
封装图
关键参数的定义图
修订历史
1.英飞凌IGBT的命名
2.最大额定值
IC由下述公式得到:
此外,这个值也定义了SOA中的电流限制。
∆T定义为芯片结到外壳的温度差,∆T=Tvjmax-TC
芯片结到外壳的热阻Rth(j-c)是确定半导体器件热行为的一个关键参数。然而,在任何设计中,将一个产品的热阻值同另一个产品的热阻值直接比较是不够的。如下图所示,在电源系统的热耗散路径中,芯片结到环境的热阻Rth(j-a)起着最重要的作用,因为它决定了工作条件下的热限制。它由外壳到环境的热阻Rth(c-h)+Rth(h-a)和从结到外壳的热阻Rth(j-c)组成。在大多数情况下,热界面材料、绝缘垫片和散热器的热阻在Rth(j-a)中占主导地位。对于IKW40N65H5,Rth(j-c)最大值为0.6K/W。典型的热界面材料(TIM)和绝缘垫片的热阻值可能低至1K/W,而散热器对环境的热阻可能从强制通风的1K/W到不通风的几十K/W。因此,与总的Rth(j-a)相比,Rth(j-c)的影响只在个位数百分比到几十个百分比之间。
3. 静态特性
一般英飞凌最新的IGBT,VCEsat显示出正的温度系数,这样的特性有利于IGBT在高功率应用中的并联,电流会在并联器件之间自动均流。