PTC IGBT 驱动器参考设计

2024/01/16 作者：安森美半导体

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PTC IGBT 驱动器参考设计

本文档是 PTC 加热器分立式 IGBT 驱动板评估平台 1.0.1 版参考文档的入口。

该评估平台用于热性能评估，为开发人员提供构建基于安森美半导体高电流隔离驱动器和 IGBT 驱动 PTC 的应用所需的工具和测试数据。

本文档重点介绍通过高侧和低侧 IGBT 进行输出电压和电流调整，并帮助用户设置不同的变量（例如电压）以获得所需的电流并获得所需的测试条件。最后，通过测试数据和曲线，帮助客户更好地了解隔离驱动器和IGBT的性能。

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器件型号	数量	器件厂商	器件描述	ECAD模型	参考价格	更多信息
DRV5032FBDBZR	1	Texas Instruments	Low power (5 Hz, <1µA), low voltage (up to 5.5V) switch 3-SOT-23 -40 to 85	ECAD模型下载ECAD模型	$1.47	查看
XC6SLX9-2CSG225C	1	AMD Xilinx	Field Programmable Gate Array, 715 CLBs, 667MHz, 9152-Cell, CMOS, PBGA225, 13 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, BGA-225	ECAD模型下载ECAD模型	$19.67	查看
35109	1	TE Connectivity	(35109) TERMINAL,PIDG R 12-10 10	ECAD模型下载ECAD模型	$0.28	查看

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安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。

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