芯耀
与非AI
DC-AC三相四线逆变器Vo=115/200V Po=20kW: R6076MNZ1
- Input : Vin=200Vdc+200Vdc
- Output : Vo=115Vac
Po=20kW
- GateDrive : Vd=10V
R source=5Ω
R sink=2Ω - Q1 to Q6 : R6076MNZ1
MOSFET (600V 76A)
- L1,L2,L3 : 500uH
- Tj : 100°C
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DC-AC三相四线逆变器Vo=115/200V Po=20kW: R6076MNZ1
Po=20kW
R source=5Ω
R sink=2Ω
MOSFET (600V 76A)
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IHLP2525CZER3R3M01 | 1 | Vishay Intertechnologies | General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 3.3 uH, COMPOSITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD, CHIP, 2525, GREEN |
|
|
$1.85 | 查看 | |
| SST39VF040-70-4C-WHE | 1 | Silicon Storage Technology | Flash, 512KX8, 70ns, PDSO32, 8 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142BA, TSOP1-32 |
|
|
$1.96 | 查看 | |
| 1825027-5 | 1 | TE Connectivity | FSMRA2JH04=R/A,TACT PB SW,160G |
|
|
$0.13 | 查看 |
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ROHM公司总部在日本京都，是著名电子元件制造商。公司1958年成立，开始制造电阻器件，公司名称源自于此。1965年进入半导体领域。罗姆ROHM主要提供MOSFET、IGBT、SiC功率器件、GaN器件、功率模块，核心产品/技术包括EcoSiC SiC MOSFET/Modules；在低空经济产业链中覆盖功率半导体。
ROHM公司总部在日本京都，是著名电子元件制造商。公司1958年成立，开始制造电阻器件，公司名称源自于此。1965年进入半导体领域。罗姆ROHM主要提供MOSFET、IGBT、SiC功率器件、GaN器件、功率模块，核心产品/技术包括EcoSiC SiC MOSFET/Modules；在低空经济产业链中覆盖功率半导体。收起
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