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MRF187, MRF187R3, MRF187SR3 1.0 GHz, 85 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs - Archived

2023/04/25
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Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1.0 GHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common source

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PMR209ME6470M220R30 1 KEMET Corporation RC Network, Isolated, 220ohm, 630V, 0.47uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT
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LQM2HPN2R2MG0L 1 Murata Manufacturing Co Ltd General Purpose Inductor, 2.2uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1008, CHIP, 1008

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C0805C104K5RAC 1 Vishay Intertechnologies Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.1uF, Surface Mount, 0805, CHIP
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恩智浦

恩智浦

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

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