驱动基于N沟道MOSFET或IGBT的半桥需要为高侧开关提供大于主电源的门极电压。如果没有这种过驱动,高侧开关将不能正确偏置,从而严重影响功率级性能。
生成这种额外电压的最常见方法之一是由电容器和二极管串联连接到切换节点的引导电路。
本文描述了该电路的基本原理,并提供了有关组件正确选择的指南。
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扫码加入AN5789应用笔记 关于门极驱动器引导电路的考虑
驱动基于N沟道MOSFET或IGBT的半桥需要为高侧开关提供大于主电源的门极电压。如果没有这种过驱动,高侧开关将不能正确偏置,从而严重影响功率级性能。
生成这种额外电压的最常见方法之一是由电容器和二极管串联连接到切换节点的引导电路。
本文描述了该电路的基本原理,并提供了有关组件正确选择的指南。
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意法半导体拥有49,000名半导体技术的创造者和创新者,掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商(IDM),意法半导体与二十多万家客户、成千上万名合作伙伴一起研发产品和解决方案,共同构建生态系统,帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇,满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能,让电源和能源管理更高效,让云连接的自主化设备应用更广泛。我们正按计划在所有直接和间接排放(包括范围1和范围2)、产品运输、商务旅行以及员工通勤排放(重点关注的范围3)方面实现碳中和,并在2027年底前实现100%使用可再生电力的目标。 详情请浏览意法半导体公司网站:www.st.com.cn
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