AN5789应用笔记关于门极驱动器引导电路的考虑

2025/02/15 作者：意法半导体(ST)

1462

加入交流群

扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

驱动基于N沟道MOSFET或IGBT的半桥需要为高侧开关提供大于主电源的门极电压。如果没有这种过驱动，高侧开关将不能正确偏置，从而严重影响功率级性能。

生成这种额外电压的最常见方法之一是由电容器和二极管串联连接到切换节点的引导电路。

本文描述了该电路的基本原理，并提供了有关组件正确选择的指南。

原创声明：本文为意法半导体(ST)原创内容，未经书面授权，不得以任何方式加以使用。转载合作

人工客服
（售后/吐槽/合作/交友）

意法半导体主要提供MCU、MPU、传感器、功率器件、模拟芯片，核心产品/技术包括L6398高压栅极驱动；在低空经济产业链中覆盖安全芯片、功率半导体、惯性传感、环境传感、计算与控制芯片、模拟与电源芯片等。

意法半导体主要提供MCU、MPU、传感器、功率器件、模拟芯片，核心产品/技术包括L6398高压栅极驱动；在低空经济产业链中覆盖安全芯片、功率半导体、惯性传感、环境传感、计算与控制芯片、模拟与电源芯片等。收起

AN5789应用笔记 关于门极驱动器引导电路的考虑