描述
HCF40106是采用SO-14封装中的金属氧化物半导体技术制造的单片集成电路。
HCF40106由六个施密特触发器电路组成。每个电路都作为一个反相器,在输入端具有施密特触发器动作。触发器在不同的点切换正极和负极信号。正电压(VP)和负电压(VN)之间的差被定义为磁滞电压(VH)。
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描述
HCF40106是采用SO-14封装中的金属氧化物半导体技术制造的单片集成电路。
HCF40106由六个施密特触发器电路组成。每个电路都作为一个反相器,在输入端具有施密特触发器动作。触发器在不同的点切换正极和负极信号。正电压(VP)和负电压(VN)之间的差被定义为磁滞电压(VH)。
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