芯耀
与非AI
596
汽车行业的最新趋势是车辆电气化。 效率是电池电动汽车的关键参数之一，因为更高的效率意味着车辆的行驶里程增加，由于车辆中电池的减少而导致重量和成本的减轻。 碳化硅 MOSFET 是一项能够提高电力传动系统效率的技术。 用于驱动功率模块的栅极驱动器是牵引逆变器中非常重要的组成部分。 良好的栅极驱动器设计对于获得逆变器的高效率以及确保逆变器的安全至关重要。
作为这项工作的一部分，三相栅极驱动器板 SEC−SiCGDSSSC−GEVB 是采用 onsemi 的新型隔离栅极驱动器 IC NCV57050 设计的。 NCV57050 满足 SiC 模块完整栅极驱动的所有要求。 NCV57050 的一些特性包括非常高的驱动电流能力、快速 DESAT 保护、其他保护功能、隔离温度测量、有源米勒钳位、宽偏置电压范围等。
本应用笔记涵盖了 SEC−SiCGDSSSDC−GEVB 评估板的规格、设计和测试结果，如图 1 和图 2 所示。该栅极驱动器板展示了用于单侧直接冷却 6 组的完整栅极驱动器解决方案 碳化硅功率模块（SSDC模块）如图3所示。
阅读全文
下载ECAD模型
