IXYS功率半导体SIC GDEV1应用说明

2023/10/05 作者：力特奥维斯Littelfuse

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IXYS功率半导体SIC GDEV1应用说明

栅极驱动评估平台(GDEV)旨在演示Littelfuse SiCoower mosfet和二极管在半桥结构下的连续工作。此外，它还提供了一个定义良好的测试环境，用于评估和比较各种驱动板设计以及驱动器lc的性能。一个完整的热管理解决方案-通过集成的散热器-允许功率器件在额定电压和电流条件下连续运行。

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器件型号	数量	器件厂商	器件描述	ECAD模型	参考价格	更多信息
11R103C	1	Murata Manufacturing Co Ltd	General Purpose Inductor, 10uH, 10%, 1 Element, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT	ECAD模型下载ECAD模型	$0.31	查看
SM712.TCT	1	Semtech Corporation	Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 12V V(RWM), Unidirectional, 4 Element, Silicon, LEAD FREE PACKAGE-3	ECAD模型下载ECAD模型	$0.83	查看
RC0603FR-07100KL	1	YAGEO Corporation	Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 100000ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP		$0.08	查看

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在从消费电子产品到车辆和工业设施的使用电能的应用中，Littelfuse 产品一只是重要的组件。他们提供业界最广泛、最深入的电路保护产品组合，并在功率控制和检测领域拥有不断发展的平台。作为其加速组织增长和战略并购公司战略的一部分，他们正不断向相邻市场扩张。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器；并提供安全控制和电力分配产品。

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