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关于磨损失效机制的应用说明

2023/11/01
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关于磨损失效机制的应用说明

一般情况下,功率半导体器件的整体可靠性用图1所示的“浴盆”曲线表示。设备的磨损阶段与应用中运行负载条件下物理损伤的一般积累有关。设备性能的主要变化与机械磨损有关,这是由于外壳中组件的热膨胀系数的差异造成的。由于零件的膨胀和收缩,模具表面可以显示出明显的“擦洗”。如图2-4所示,擦洗可能导致在这些组分界面处形成金属间化合物。然后,积聚会导致导通状态、VT或正向电压、VF特性的变化,以及长时间内结漏电流的变化。

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ACBQ20TTEB101K/101M 1 KOA Corporation RC Network, Bussed, 1W, 100ohm, 20V, 0.0001uF, Surface Mount, 20 Pins, ROHS COMPLIANT
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S402TSRP 1 Littelfuse Inc Silicon Controlled Rectifier, 1.5A I(T)RMS, 950mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4

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0190190051 1 Molex CONN QC RCPT 12-14AWG 0.187
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Littelfuse

Littelfuse

Littelfuse主要提供MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、IGBT/SiC功率模块及保护器件,核心产品/技术包括IXYS IGBT;在低空经济产业链中覆盖功率半导体。

Littelfuse主要提供MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、IGBT/SiC功率模块及保护器件,核心产品/技术包括IXYS IGBT;在低空经济产业链中覆盖功率半导体。收起

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