ASR12N1200ME2碳化硅（SiC)模块

07/18 16:59 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASR12N1200ME2碳化硅（SiC)模块

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ME2 系列碳化硅（SiC）功率模块

1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷；

2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；3. 适用高温、高频应用；

4. 参数范围：

VDS：650~1700V

ID：30~300A

RDS(on) ：4~80mΩ

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