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扫码加入ASC100N1200MT4X驱动电压兼容+15V/+18V碳化硅MOS1200V115A16mΩ
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ASC100N1200MT4X ：1200V、115A、16mΩ N 沟道碳化硅（SiC）MOSFET，采用 TO-247-4 封装，可在高温下稳定工作，适用于高功率密度、高能耗关键系统，能实现紧凑化设计并降低电磁干扰（EMI）。
开关速度快，寄生电容低
耐压高，导通电阻（RDS (on)）低
优化封装，独立驱动源极引脚
易并联、驱动简单
符合 RoHS 指令，无卤素
典型应用
电动汽车充电
高压直流 / 直流转换器
开关电源
功率因数校正（PFC）模块
人工客服研发设计碳化硅MOS管与SiC模块,芯片+模块+应用三位一体模式
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