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近日，济南富能半导体高功率芯片项目已成功封顶。
台湾半导体人才正在加速流向大陆；“中国功率器件领路人”陈星弼院士在成都逝世
目前华为已准备从IGBT厂商挖人，开始自己研发IGBT器件。
这是江西市首个总投资超200亿元的电子信息产业项目，将填补全省8英寸功率半导体晶圆生产线空白。
山东省科技厅公示了2019年度山东省重点研发计划重大科技创新工程 (第一批)拟立项项目名单，其中，科达股份控股孙公司科达半导体有限公司(科达半导体)的“工控系统专用IGBT芯片自主研发及产业化应用”及“节能变频专用绝缘栅双极晶体管芯片及器件产业化项目”项目分别被列为重大科技创新工程及结转项目，获补助经费总金额共计达900万元。
siC模块结构、封装工艺及关键材料分析
昨天上午，总投资25亿元的氮化镓（GaN）射频及功率器件产业化项目正式签约落户嘉兴科技城，该项目将打造成为具有世界影响力的中国第三代半导体芯片产业示范标杆。
今天要谈的是江苏省。江苏省简称“苏”，是中国经济最活跃的省份之一，2018年GDP突破9万亿，位居全国第二，仅次于广东，今年可望突破10万亿。
我们将使用增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的设计与硅基器件设计进行比较，旨在确定品质因素(FOM)优势(如更低的Qg和Qoss，以及接近于零的Qrr)在多大程度上有助于实现效率和功率密度目标。
与非网9月17日讯，华虹集团旗下华虹半导体位于无锡的集成电路研发和制造基地（一期）12英寸生产线建设项目正式投片。随着首批12英寸硅片进入工艺机台，开始55纳米芯片产品制造，这标志着项目将由工程建设期正式迈入生产运营期。
与非网9月17日讯，随着首批12英寸硅片进入工艺机台，开始55纳米芯片产品制造，华虹半导体（无锡）有限公司（华虹七厂）作为华虹集团在上海市域以外的第一个项目投入量产，这标志着项目将由工程建设期正式迈入生产运营期。
根据公司发布的公告显示，士兰微计划在未来五年投资15亿人民币，扩充其8吋集成电路芯片生产线。按照他们的计划，分两期进行。其中，一期计划投资6亿元，形成年产18万片8英寸芯片的产能。二期计划投资9亿元，形成年产25.2万片8英寸芯片的产能。
近年来，SiC功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能，这对电力电子行业的发展意义重大。
昨日，第十三届中国半导行业协会分立器件年会暨2019年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛在青岛顺利召开。在会上，中国半导行业协会公布了中国半导体行业功率器件十强，让我们对中国半导体在这个细分领域有了更深刻的见解。
上海证券交易所网站信息显示，华润微电子有限公司（以下简称“华润微电子”）首次公开发行股票并在科创板上市申请获受理。
要提高开关电源的效率，就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面：开关损耗、导通损耗、附加损耗和电阻损耗。这些损耗通常会在有损元器件中同时出现，下面将分别讨论。
门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于工程师降低设计复杂度，缩短开发时间，节省用料(BOM)及电路板空间，相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案，可提高方案的可靠度。
近来，LLC拓扑以其高效，高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐，但是这种软开关拓扑对MOSFET 的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机，动态负载，过载，短路等情况下。CoolMOS 以其快恢复体二极管 ，低Qg 和Coss能够完全满足这些需求并大大提升电源系统的可靠性。
中芯绍兴项目投资58.8亿元，是绍兴集成电路小镇全产业链发展的关键性项目，投入生产后可实现年产值45亿元。
随着功率器件封装逐渐面向大电流、小型化，这样一来，产品的散热性能显得尤为重要。热设计在IGBT选型和应用过程中至关重要，关系到模块应用的可靠性、损耗、寿命等问题，而模块的热阻和热阻抗是系统散热评估环节必不可少的参数。
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