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在熟悉功率器件从业者的一般认知里，与传统硅功率器件相比，SiC（碳化硅）功率器件除了贵，就没有什么缺点了。现在，贵这个缺点也快消失了。
据外媒报道，随着中国碳化硅产能扩张，近几个月来一线供应商已将价格下调近30%。不过在中国以外的市场，碳化硅衬底价格尚保持稳定。对于主流产品6英寸碳化硅衬底，国际供应商的报价维持在750~800美元，中国制造商此前的价格通常要低5%，而最近价格差异已经扩大至30%左右。
业内专家表示，不但SiC衬底在降价，SiC外延也在降价，而且持续下降的趋势明显。根据第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）的分析，衬底约占SiC器件成本的一半，仅次于衬底的第二大成本是外延，这两个加起来占SiC器件成本的多半。因而当这两个对SiC器件成本影响最大的材料价格持续向下，将对市场产生深远影响。该专家表示：“国际厂商实际也在降价，毫无疑问，这一轮彻底的降价已经在影响SiC器件的价格了，接下来，整个SiC市场将是全方位的竞争，会非常激烈。”
价格下降的原因与之前建设的产能陆续投产直接相关。这几年SiC投资强度一直不低，据相关统计，2020年底，国内有170多个SiC项目在运作。就算半导体市场整体遇冷的2023年，SiC依然热度不低。据集邦化合物半导体不完全统计，2023年国内近40项SiC相关扩产项目启动。在这些项目当中，有不少投资数十亿甚至上百亿的大手笔，累计投入近900亿元，与2022年相比，涨幅较大。
SiC项目方面，2023年国内公开宣传的SiC项目数量121个，总投资超过1600亿元。从衬底、外延、芯片、封装到耗材和设备，每个环节的项目投资金额都创新高。其中SiC芯片项目总投资高达796亿元，增长100%。
同样根据集邦化合物半导体的统计，2023年国外企业共有近20项SiC相关扩产项目已经或将要落地，其中包括Wolfspeed、意法半导体、英飞凌等大厂。
在2023年的扩产选择上，国内厂商更多选择6英寸产能，而国际知名厂商似乎更倾向于投建8英寸产能，以顺应SiC产业由6英寸向8英寸转型升级大趋势。少数国内厂商也做出前瞻性布局，在8英寸项目做出重要投入。
根据SiC衬底厂商天科合达的测算，从4英寸提升到6英寸，单位成本预计能够降低50%；从6英寸到8英寸，成本能够在这个基础上再降低35%。同时，8英寸衬底能够切出更多的芯片（预计可多切90%），边缘浪费也会更低。
SiC晶圆制造代际差异带来的成本优势，会让大尺寸晶圆制造厂相对小尺寸晶圆厂有更大的价格优势。持续不断地扩产也会进一步增大供给，在需求没有大规模提升的背景下，扩产项目陆续投产后，供需关系失衡，市场承压，价格自然下跌。另一业内专家表示，国内SiC价格战之所以更凶，是因为国内市场更卷。
北京半导体行业协会副秘书长朱晶赞同这个观点。她认为，同质化带来的低端内卷，是引发价格战的主要原因，而国际价格相对稳定，说明国内SiC对国际市场还没有多少影响力，也变相说明还没有掌握定价权，即质量还存在一定差距。
不过，多位专家也表示，衬底和外延降价，长期看对SiC器件有好处，给SiC器件留出了降价空间与利润范围，也为SiC器件扩大应用范围奠定了价格基础。一位专家甚至表示：“现在（衬底）降价幅度，还没达到期望值，还有很大的下行空间。”
就SiC器件而言，本土厂商在技术上与国际厂商也有差距，当前本土器件以平面结构为主，而英飞凌、罗姆等则采用沟槽式结构，性能相对更优，在市场上的竞争力也更强，受价格战的影响就会小一些。
汽车是SiC最主要的应用市场之一，今年主要车厂都有极大的降本压力，这个压力也会传导到SiC器件厂商那里，进而传导到上游的衬底与外延等产业链各环节，工业市场也不乐观。随着新布局产能的陆续投产，价格战进一步加剧并不意外。但是如同那位器件专家所言，价格往下走不一定是坏事，如果能推动相关领域SiC器件加速取代硅功率器件的进程，那么这种价格战还是有积极意义的。
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