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半导体工艺

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  • 车仪田新工厂落户北京亦庄，加快半导体设备零部件国产化步伐
    上海车仪田科技有限公司，在亦庄科创东五街的星海产业园隆重举行北京新工厂扩产启用仪式暨媒体开放日活动，这也标志着车仪田在半导体加热与温控领域的产能布局、工艺升级与客户服务能力实现跨越式提升。
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    01/19 15:20
    零部件供应商 半导体工艺
    车仪田新工厂落户北京亦庄，加快半导体设备零部件国产化步伐
  • 从上海到北京：一家设备零部件“隐形冠军”的产能扩张与战略布局
    中国领先的半导体工艺在线测控解决方案提供商上海车仪田科技有限公司（以下简称“车仪田”），在亦庄科创东五街的星海产业园隆重举行北京新工厂扩产启用仪式暨媒体开放日活动。政府领导、行业合作伙伴、投资机构代表及主流媒体齐聚一堂，共同见证这一里程碑时刻，标志着车仪田在半导体加热与温控领域的产能布局、工艺升级与客户服务能力实现跨越式提升。 上海车仪田成立于2022年6月，专注于等离子体光谱分析、高精度温度测控
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    01/16 14:24
    半导体工艺 光谱分析
    从上海到北京：一家设备零部件“隐形冠军”的产能扩张与战略布局
  • 先进半导体工艺中衬底晶向从<100>转向<110>的技术逻辑
    在半导体工艺从微米级迈向纳米级，尤其是进入 28nm 及以下先进节点的过程中，衬底晶向的选择从传统的100转向110，并非偶然的技术调整，而是围绕器件性能突破、工艺兼容性优化展开的关键决策。这一转变的核心驱动力，源于 CMOS 电路中 PMOS 器件的性能瓶颈，以及先进制程对 “全器件性能均衡提升” 的迫切需求。
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    2025/10/08
    半导体工艺 衬底
    先进半导体工艺中衬底晶向从<100>转向<110>的技术逻辑
  • 半导体对聚氨酯提出了哪些苛刻要求？
    说到半导体，大家脑海里蹦出来的词往往是“高精尖”“光刻机”“纳米工艺”。而提到聚氨酯，多数人想到的可能是沙发海绵、运动鞋底、甚至冰箱里的保温层。看似风马牛不相及的两大领域，实际上却有着越来越紧密的联系。尤其是在半导体产业不断追求极限工艺的今天，聚氨酯这位老材料也迎来了新的考验——半导体对它的要求，可以用一个词来概括：苛刻。 那问题来了：半导体到底看上了聚氨酯哪一点？又对它提了哪些刁钻的要求呢？ 一
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    2025/09/08
    半导体工艺
    半导体对聚氨酯提出了哪些苛刻要求？
  • 在半导体工艺中，什么是Monitor wafer？有什么作用？
    在半导体制造中，Monitor Wafer（监控片/控片） 是一种专门用于工艺监控、设备性能验证和测试的特殊硅片。它的核心目的不是生产最终可销售的芯片，而是确保生产设备、工艺条件和环境处于最佳且稳定的状态。 以下是与产品晶圆（Product Wafer，用于制造实际芯片）的主要区别和Monitor Wafer的关键特点： 核心功能：监控与测试 薄膜沉积：厚度、均匀性、折射率、应力、成分。 刻蚀：刻
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    2025/08/18
    半导体工艺
    在半导体工艺中，什么是Monitor wafer？有什么作用？
  • Deep N-Well工艺在芯片功能中有什么作用？
    在半导体工艺中，DNW（Deep N-Well，深 N 阱）离子注入是一项关键技术，主要用于在 P 型衬底中创建深 N 型阱区。这项技术在 CMOS 集成电路、BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺和高压器件制造中尤为重要。以下是 DNW 离子注入的核心作用及其技术细节：
    1.3万
    2025/08/11
    半导体工艺 离子注入
    Deep N-Well工艺在芯片功能中有什么作用？
  • 半导体工艺：Ashing
    Ashing是一种在半导体制造过程中常见的清洗工艺，它的核心目的是去除晶圆表面上残留的光刻胶。这个过程依赖于等离子体的反应活性，通常使用氧气等离子体将光刻胶这种有机材料“燃烧”成气态的CO和CO₂，从而彻底清除干净。这种方式被称作“干法清洗”，区别于湿法清洗中液体溶剂的溶解过程。
    1499
    2025/08/11
    半导体制造 半导体工艺
    半导体工艺：Ashing
  • 氧化铝在半导体工艺中一般用什么气体进行刻蚀？
    在半导体制造中，氧化铝（Al₂O₃）因具有高介电常数、良好的化学稳定性和绝缘性，被广泛用于栅极介质、隔离层、钝化层等关键结构（如 3D NAND 的电荷陷阱层、FinFET 的隔离氧化层）。对氧化铝的刻蚀需满足高精度（纳米级尺寸控制）、高各向异性（垂直侧壁）和高选择性（不损伤衬底或相邻材料），其刻蚀气体的选择与作用机理如下：
    3585
    2025/07/30
    刻蚀工艺 半导体工艺
  • 半导体工艺中铜为何采用CMP而非Dry ET去除？
    在半导体制造领域，金属互连材料的处理工艺对芯片性能与精度起着决定性作用。随着芯片集成度不断提升，金属互连技术也在持续革新。早期，铝凭借其良好的物理化学性质、易于加工成型以及与二氧化硅衬底的兼容性，成为半导体制造中金属互连的首选材料。然而，随着摩尔定律的推进，芯片尺寸不断缩小，集成度越来越高，铝互连的局限性逐渐显现，如较大的RC延迟、电子迁移导致的器件可靠性下降等问题日益突出。在这样的背景下，铜以其
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    2025/07/17
    半导体制造 CMP
    半导体工艺中铜为何采用CMP而非Dry ET去除？
  • 半导体工艺中，什么是倒角工艺？
    在半导体制造的舞台上，硅片经历了从晶体切割到功能器件的蜕变。切割后的硅片边缘锐利、表面布满损伤层、内部潜藏应力与氧杂质，这些问题直接影响芯片性能与良率。为此，三道关键工艺——倒角、研磨与热处理——如同精密的雕刻刀，共同塑造出符合严苛要求的硅晶圆。
    7730
    2025/07/10
    半导体制造 半导体工艺
    半导体工艺中，什么是倒角工艺？
  • 半导体二手设备的认知误区
    这个话题其实一直想写一写，最近怠于动笔，今天得空儿码几行文字。 半导体二手设备其实是半导体领域一个非常独特的存在，别的行业虽然也存在二手设备市场，但能够撑起成熟制程设备半壁江山的，还真是比较少。虽然二手设备在半导体产业链环节中扮演了如此重要的角色，但普遍存在一些认知误区，也导致很多人对这个行业有误解。 正是因为有误解，导致相关公司特别不愿意提自己是二手设备厂商， “二手” 俩字都羞于启齿，反倒用一
    653
    2025/06/25
    半导体设备 半导体工艺
    半导体二手设备的认知误区
  • 什么是SPT技术，SPT技术位于工艺流程什么位置？
    在半导体工艺中，SPT 通常是指应力邻近技术（Stress Proximity Technology）。它是一种通过在栅极周围形成特定结构或沉积特定材料，将应力引入到半导体沟道中的工艺技术。具体介绍如下：
    5075
    2025/06/17
    半导体工艺 SPT技术
    什么是SPT技术，SPT技术位于工艺流程什么位置？
  • 在半导体SiGe工艺中，为什么需要分两步生长？
    在半导体 SiGe 工艺中，分两步生长低掺杂 Ge 层和高掺杂 Ge 层主要基于以下多方面的工艺优化需求：晶格常数差异：Ge的晶格常数（5.66 Å）比Si（5.43 Å）大约4%，直接在 Si 衬底上生长高掺杂 Ge 层会因晶格失配产生高应力，导致位错等缺陷。第一步低掺杂 Ge 层作为缓冲层，通过较低的掺杂浓度和渐变的 Ge 含量（如从 Si 到 SiGe 的过渡），逐步释放晶格应力，为后续高掺杂层提供稳定的生长基础。
    4817
    2025/06/17
    半导体工艺 SiGe
    在半导体SiGe工艺中，为什么需要分两步生长？
  • 在半导体工艺中，Metal ECP 为什么要洗边？一般洗多少宽度？
    在半导体制造工艺里，金属层的电化学镀（ECP）是构建芯片内部复杂电路互连的关键环节。而在 ECP 工艺完成后，一项不可或缺的后续操作便是洗边。这一操作看似简单，实则对芯片制造的整体质量、性能以及生产效率有着多方面的深刻影响。
    7621
    2025/05/28
    半导体制造 半导体工艺
    在半导体工艺中，Metal ECP 为什么要洗边？一般洗多少宽度？
  • 如何看待中国的半导体工艺制程被卡在7nm，如何才能突破？
    突破7nm制程瓶颈，既需要短期内的技术攻坚，也需要长期的战略布局。当前，中国的7nm制程技术尚未达到全球顶尖水平，尤其是在极紫外（EUV）光刻机等关键前道制造设备上，仍然依赖外部供应。要突破这一瓶颈，必须依赖自主研发和技术创新。
    2505
    2025/03/27
    半导体工艺 7nm工艺
    如何看待中国的半导体工艺制程被卡在7nm，如何才能突破？
  • FD-SOI，半导体“特色”工艺之路能否走通？
    在进入28纳米节点时，半导体逻辑制造工艺出现了分岔。一条路线走向了三维工艺，即大家所熟知的FinFET，代表厂商有台积电、英特尔和中芯国际等晶圆制造厂商；另一条路线则还在坚持平面工艺，被称为FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗尽硅型绝缘体上硅），代表厂商有意法半导体（STMicroelectronics）。三星电子与格罗方德（GlobalFoundries）则两条腿走路，对FinFET与FD-SOI都有布局，但三星的先进逻辑制造工艺还是以FinFET为主。
    2673
    2024/10/31
    FinFET FD-SOI
    FD-SOI，半导体“特色”工艺之路能否走通？
  • 为什么器件失效分析需要Nano-probe机台？
    器件失效分析（Failure Analysis，FA）关系到集成电路的质量控制、产品可靠性以及产量优化。在分析过程中，工程师必须准确定位失效源头，分析失效机理并找到解决方法。其中，Nano-probe（纳米探针）作为一项关键的微纳级分析工具，广泛应用于先进工艺制程中，如5nm、7nm、16nm等。
    3005
    2024/10/08
    半导体工艺
    为什么器件失效分析需要Nano-probe机台？
  • 为什么器件失效分析需要AFM机台？
    失效分析是确保集成电路和微电子器件可靠性、优化制造工艺的重要环节。随着技术的进步，特别是进入5nm、7nm等先进工艺节点后，器件失效模式变得更为复杂，要求我们使用各种高精度的分析工具进行失效定位和机理分析。原子力显微镜（Atomic Force Microscope，简称AFM）就是其中一种重要的分析工具。
    1380
    2024/10/08
    半导体工艺 AFM
    为什么器件失效分析需要AFM机台？
  • 东方晶源深耕电子束量测检测核心技术 “三箭齐发”新一代EOS上“机”
    电子束量测检测设备是芯片制造装备中除光刻机之外技术难度最高的设备类别之一，深度参与光刻环节、对制程节点敏感并且对最终产线良率起到至关重要的作用。其最为核心的模块为电子光学系统（Electron Optical System，简称EOS），决定设备的成像精度和质量， 进而决定设备的性能。 作为电子束量测检测领域的先行者、领跑者，东方晶源始终坚持自主研发，不断深化研发投入、加速技术创新步伐，致力于为客
    1128
    2024/08/21
    半导体工艺 电子束
    东方晶源深耕电子束量测检测核心技术 “三箭齐发”新一代EOS上“机”
  • 碳化硅竞争升级，中国企业施压国际大厂
    作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅（SiC）与硅（Si）相比，拥有更加优异的物理和化学特性，使得SiC器件能降低能耗20%以上，减少体积和重量30%~50%，可满足中低压、高压、超高压功率器件制备要求。SiC器件可广泛应用于电动汽车、轨道交通、智能电网、通信雷达和航空航天等领域。
    2268
    2024/07/12
    碳化硅 碳化硅衬底
    碳化硅竞争升级，中国企业施压国际大厂

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