SiGe_SiGe是什么意思

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在半导体SiGe工艺中，为什么需要分两步生长？
在半导体 SiGe 工艺中，分两步生长低掺杂 Ge 层和高掺杂 Ge 层主要基于以下多方面的工艺优化需求：晶格常数差异：Ge的晶格常数（5.66 Å）比Si（5.43 Å）大约4%，直接在 Si 衬底上生长高掺杂 Ge 层会因晶格失配产生高应力，导致位错等缺陷。第一步低掺杂 Ge 层作为缓冲层，通过较低的掺杂浓度和渐变的 Ge 含量（如从 Si 到 SiGe 的过渡），逐步释放晶格应力，为后续高掺杂层提供稳定的生长基础。

国芯制造

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2025/06/17

半导体工艺 SiGe
恩智浦推出全新5G前端解决方案，助力提升5G网络覆盖范围和质量
恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.，纳斯达克股票代码：NXPI）宣布推出功率更高的全新BTS7202射频前端接收模组（FEM）和BTS6403/6305预驱动放大器，用于支持每个通道功率高达20W的5G大规模多入多出（MIMO）基站建设。

与非网编辑

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2022/09/21

射频驱动放大器
e络盟供货安世半导体SiGe整流器
安世半导体硅锗 (SiGe) 整流器效率高、热稳定性好，且外型精巧，是工程师进行新品设计的不二之选

与非网编辑

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2021/10/11

e络盟安富利
嘿，芯片设计师，你选对工艺了吗？
当我们把目光投向每天出现在我们的生活中的很多智能系统和小工具 - 从电子书阅读器到医疗设备，从电动汽车到混合动力车，会很自然地假设是由于硅半导体技术的发展使一切变成可能，相关的尺寸和功耗的代代下降遵从大名鼎鼎的摩尔定律。

与非网记者

2014/11/24

芯片 SiC

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