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• SiC功率模块助力eVTOL突破可靠性瓶颈，低空经济产业协同提速

  低空经济产业热度持续走高，资本加速向 eVTOL 动力赛道倾斜。近期，合作伙伴智鸥科技完成千万级 PreA + 轮股权融资，持续加大低空飞行器动力系统研发投入。作为其核心碳化硅模块合作伙伴，爱仕特半导体向智鸥科技团队表示祝贺。 eVTOL 商业化落地进程中，动力系统始终是整机设计的核心难点。飞行器在吊运、系留、载物等工况下，长期面临强振动、宽温域变化等复杂环境，发热控制、振动耐受、长期运行可靠性，

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  09/18 14:24

  碳化硅功率器件
• TO247-4S封装创新：爱仕特以“两粗两细”引脚设计实现驱动回路精密解耦

  不止于引脚增加：TO247-4S 的结构性优化 传统TO247-3pin封装将功率源极与驱动源极合并于同一引脚，在高频开关场景中，功率回路中的高 di/dt 电流变化会在源极寄生电感上产生感应电压，直接影响栅极驱动电压的稳定性，进而引起开关振荡、损耗增加，甚至误导通等问题。 爱仕特推出的TO247-4S封装在经典三引脚结构基础上新增一引脚，形成双粗引脚（功率源极、漏极）+ 双细引脚（栅极、开尔文源

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  01/28 11:02

  碳化硅 封装
• “中国芯”再突破！爱仕特第四代SiC MOSFET斩获国家级大奖

  11月14日，2025年“中国芯”优秀产品征集结果揭晓，爱仕特自主研发的第四代SiC MOSFET芯片（型号：ASC150N1200MT4）从全国303家企业、410款参赛产品中脱颖而出，获评“优秀技术创新产品” 大奖。 这一奖项的含金量在于，“中国芯”评选在工业和信息化部指导下，由中国电子信息产业发展研究院组织举办，已成为国内集成电路领域最具影响力的行业盛会之一。 爱仕特此次获奖，不仅代表企业自

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  2025/11/19

  SiC MOSFET
• 千安级模块 爱仕特携第四代技术平台亮相2025慕尼黑上海电子展

  4月15日，全球电子行业盛会——2025慕尼黑上海电子展盛大开幕！ 爱仕特以“碳化硅4.0技术平台”为核心，携1200V/10mΩ SiC MOSFET、1700V/16mΩ SiC MOSFET、1200V/1000A SiC功率模块三大“战略新品”亮相N4馆608展位，以极致性能与创新方案，成为全场焦点！这不仅展现了国产碳化硅技术的突破性进展，更标志着第三代半导体进入系统级应用的新纪元。 现场

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  2025/04/17

  慕尼黑上海电子展 碳化硅功率器件
• 成本降低30%！低温银烧结技术加速SiC器件规模化应用

  导语 在工业电源、电动汽车与航空航天领域，碳化硅（SiC）功率器件的高效率与耐高温特性正逐步替代传统硅基器件。然而，SiC芯片的高功率密度与高温运行需求，对封装技术提出了前所未有的挑战——传统焊料在高温下易疲劳失效，成为制约性能释放的关键瓶颈。 银烧结技术凭借低温工艺与超高可靠性，成为解锁SiC潜力的‘银钥匙’。爱仕特基于此技术开发的碳化硅模块，已在多个应用场景中验证其性能优势，为行业提供高效、稳

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  2025/04/01

  碳化硅 SiC功率器件

  
• 从6kW到30kW+：车载充电机功率升级的碳化硅之路

  随着电动汽车向高压平台和双向充电方向发展，碳化硅基OBC将成为未来电动汽车充电系统的核心。爱仕特作为碳化硅技术的引领者，将继续致力于为行业提供高效、可靠的解决方案，助力电动汽车产业的快速发展。

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  2025/03/04

  电动汽车 碳化硅功率器件
• 爱仕特内绝缘型 SiC MOSFET：高效能应用的创新驱动引擎

  爱仕特近期推出了1200V和1700V两款内绝缘型TO-247-4封装的SiC MOSFET。这些创新产品在保持标准封装尺寸，通过内置陶瓷片优化了绝缘和导热性能，背面散热器做了悬浮电位设计，减少了外部绝缘材料依赖，降低了材料老化导致的长期运行故障风险，增强了产品可靠性和耐用性。

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  2024/12/04

  MOSFET SiC MOSFET

  

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